Absorcao De Raios X Proximo A Estrutura Da Borda
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1. Catalisadores bimetálicos de Co e Ni aplicados à reforma à vapor do etanol: propriedades de oxiredução na resistência à deposição de carbono
O efeito da variação da composição cobalto (Co)/níquel (Ni) em catalisadores à base destes metais de transição foi avaliado focando principalmente nas propriedades de oxirredução e sua relação com a deposição de carbono na reação de Reforma a Vapor do Etanol (RVE). Os catalisadores, com teor metálico de 15 e 8 % em massa, foram preparados po
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/03/2012
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2. Propriedades estruturais e eletrônicas de óxidos de ferro em esmaltes celadon (II)
Esmaltes celadon foram investigados por meio do espectro de absorção de raios X (XAS) próximo da borda Fe-K usando radiação síncrotron e espectro Mössbauer. Tratamentos térmicos a altas temperaturas sob atmosfera desoxidante (CO) e oxidante até ~ 1300 ºC apresentam diferentes cores dos esmaltes. As análises XAS sugerem que o esmalte celaton desoxi
Cerâmica. Publicado em: 2012-12
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3. Propriedades estruturais do material vitreo silica-titania produzido pelo metodo do aerosol em chama / Structural properties of silica-titania vitreous material produced by flame aerosol method
O sistema binário sílica titânia, SiO2-TiO2,apresenta grande interesse tecnológico devido as suas propriedades: ultra-baixo coeficiente de expansão térmico e alto índice de refração. As propriedades são dependentes da quantidade de dopante presente no material. A SiO2-TiO2 é usada na indústria de componentes fotônicos, tais como, lentes, micro-l
Publicado em: 2008
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4. Local order in the transition a-Si:H - uc-Si / Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si
Silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) é um material amplamente usado na indústria microeletrônica. Ele é normalmente preparado a partir da decomposição do silano (SiH4). A diluição do silano em hidrogênio (H2) resulta em a-Si:H com propriedades eletrônicas superiores devido ao ataque químico preferencial às ligações mal-formadas. Níveis elevado
Publicado em: 2005