Analises Por Feixe De Ions
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1. U-Pb zircon in situ dating with LA-MC-ICP-MS using a mixed detector configuration
O método LA-MC-ICP-MS utilizado para datação U-Pb in situ está cada vez mais preciso e reprodutível devido à melhor desempenho técnico das microssondas a LASER e os espectrômetro de massa com plasma acoplado indutivamente (ICP-MS). Com intuito de testar a validade e a reprodutibilidade deste método, 5 amostras diferentes foram selecionadas (incluind
Anais da Academia Brasileira de Ciências. Publicado em: 15/05/2012
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2. Estabilidade de nanopartículas em sílica : efeitos térmicos e de irradiação com elétrons e íons energéticos
Por apresentarem uma alta razão de área de interface por volume, sistemas de nanopartículas são termodinamicamente instáveis e podem perder suas vantagens funcionais em função de modificações estruturais induzidas por variações de parâmetros intensivos do ambiente de aplicação. O presente trabalho trata do estudo da estabilidade estrutural de s
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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3. Investigação da interface entre filmes dielétricos crescidos termicamente e o carbeto de silício monocristalino com potencial uso em microeletrônica
Na presente Dissertação, foram caracterizadas as estruturas dos filmes dielétricos (dióxido de silício) crescidos termicamente sobre carbeto de silício monocristalino (c-SiC) e as interfaces formadas. Através de análises por Espectroscopia de Fotoelétrons Induzidos por Raios X, foi verificada a presença de uma camada interfacial de oxicarbeto de si
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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4. Síntese e caracterização de nanocristais de PbSe em substrato SOI
Nesta dissertação são apresentados os resultados da síntese de nanocristais (NCs) de PbSe em substratos de Si e SOI. O material foi produzido pela técnica de Síntese por Feixe de Íons (IBS) seguido de tratamentos térmicos em alta temperatura. As amostras foram caracterizadas pelas técnicas de Retroespalhamento Rutherford (RBS) e Microscopia Eletrôn
Publicado em: 2011
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5. Oxidation of EuTe - (111) epitaxial films / Oxidação de filmes epitaxiais de telureto de európio - EuTe (111)
Filmes epitaxiais de EuTe recém crescidos foram expostos ao ar ou ao fluxo O2 e analisados por medidas de Transmitância Óptica, Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Difração de Raios X de Alta Resolução (HRXRD) nas configurações de Triplo eixo e Rocking curve , Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) e Espectroscopia de Fotoel
Publicado em: 2008
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6. Oxidação de filmes epitaxiais de telureto de európio - EuTe (111) / Oxidation of EuTe - (111) epitaxial films
Filmes epitaxiais de EuTe recém crescidos foram expostos ao ar ou ao fluxo O2 e analisados por medidas de Transmitância Óptica, Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Difração de Raios X de Alta Resolução (HRXRD) nas configurações de Triplo eixo e Rocking curve , Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) e Espectroscopia de Fotoel
Publicado em: 2008
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7. Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si
Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxid
Publicado em: 2007
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8. Estudo das modificações microestruturais e mecânicas de filmes de a-C:H, a-C:N:H: e a-C:F:H irradiados com íons de N/sup +/ e Xe/sup ++/
Nesse trabalho foram estudados os efeitos da irradiação iônica em filmes de carbono amorfo hidrogenado, sem (a-C:H) e com a presença de N e F (a-C:N:H e a-C:F:H, respectivamente). Os filmes foram crescidos através da técnica de Deposição Química na Fase Vapor Assistida por Plasma. Após a deposição, os filmes foram irradiados com N+ a 400 keV e Xe
Publicado em: 2007
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9. Estudo de difusão de impurezas introduzidas por implantação iônica em polímeros
No presente trabalho estudamos de forma sistemática a difusão de impurezas em filmes poliméricos usando as técnicas de implantação iônica e análise por feixe de íons, retroespalhamento Rutherford e de perfil de profundidade por nêutrons. Com este propósito foram implantadas e realizadas medidas em diferentes intervalos de temperatura para diferent
Publicado em: 2007
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10. Modification of surface properties of materials by chromium recoil implantation using nitrogen plasma immersion ion implantation / Modificação das propriedades superficiais de materiais através da implantação de cromo por recoil por meio de implantação iônica por imersão em plasma de nitrogênio
Este trabalho tem por objetivo a modificação das propriedades superficiais de materiais condutores (aço carbono) e semicondutores (silício) utilizando a implantação de átomos de cromo, depositados na superfície dos materiais sob a forma de um filme fino, por meio da implantação iônica por imersão a plasma. O estudo visa entender o processo básic
Publicado em: 2007
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11. Novas fases amorfas de carbono produzidas por irradiação iônica de filmes de C/sub 60/, [alfa]-C e [alfa]-C:H
Neste trabalho estuda-se a formação de novas fases de carbono amorfo através da irradiação iônica de filmes de fulereno, a-C e a-C:H polimérico. Os efeitos da irradiação iônica na modificação das propriedades ópticas e mecânicas dos filmes de carbono irradiados são analisados de forma correlacionada com as alterações estruturais a nivel atô
Publicado em: 2007
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12. INCORPORAÇÃO SUPERFICIAL DE NITROGÊNIO EM FILMES DLC TRATADOS EM PLASMA DE RADIO FREQÜÊNCIA / SUPERFICIAL INCORPORATION OF NITROGEN IN FILM DLC TREATED IN PLASMA OF RADIO FREQUENCY
Filmes de carbono amorfo hidrogenados, (a - C: H) e nitrogenados,) ( a - C: H(N) - depositados pela técnica Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) em atmosferas de metano e metano-nitrogênio foram submetidos a tratamento em plasmas de N2. A influência de vários parâmetros foi investigada: a pressão da câmara, tensão de autopolarização e
Publicado em: 2003