Caracterização optica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlgaAs

AUTOR(ES)

Marcelo Luis Francisco Abbade

DATA DE PUBLICAÇÃO

1996

RESUMO

Realizamos um estudo das propriedades ópticas de uma estrutura tipo HEMT de um poço quântico de GaAs/InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs com dopagem modulada. Neste estudo, utilizamos técnicas de medidas de espectroscopia de fotoluminescência, fotoluminescência de excitação, magnetoluminescência e de magnetotransporte. As amostras são altamente dopadas resultando em alta densidade bidimensional de elétrons. Os dados obtidos com a técnica de Shubnikov-de-Haas apresentam oscilações que são características de um sistema de gás bidimensional. O ponto principal discutido neste trabalho é sobre a observação experimental de transições indiretas nos espectros de fotoluminescência. Estas transições envolvem os estados eletrônicos do poço de potencial criado na barreira de AIGaAs, devido a dopagem planar, e o estado fundamental do buraco pesado do poço de InGaAs. Esta observação é sustentada pelos resultados do cálculo auto-consistente obtido das soluções das equações acopladas de Schrodinger e de Poisson

ASSUNTO(S)

semicondutores

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