Caracterização otica de epitaxia MBE do GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn
AUTOR(ES)
Cesar Augusto Curvello de Mendonça
DATA DE PUBLICAÇÃO
1988
RESUMO
Foram feitas medidas de fotoluminescência em regime de baixo nível de excitação ótica e baixas temperaturas (<2K). Os objetivos deste trabalho foram a caracterização e o estudo de algumas amostras de Arseneto de Gálio(GaAs), crescidas por Epitaxia por Feixe Molecular(MBE) não dopadas, e outras crescidas por Epitaxia de Fase Líquida(LPE) dopadas com Estanho(Sn). Nas primeiras, a baixa eficiência quântica de emissão das linhas excitônicas foram associadas à possível existência de grande concentração de defeitos gerados no processo de crescimento. Por outro lado, observamos alta Intensidade para linhas atribuídas a transições envolvendo impurezas aceitadoras, as quais apontaram para a presença de altas concentrações de Carbono no material. Nas últimas verificamos, através do espectro, a presença de impurezas aceitadoras de Zinco, Carbono e Estanho. Focalizamos principalmente o nível aceitador profundo introduzido no "gap" do GaAs, pelo Sn, através das transições ocorridas a partir do complexo exciton ligado à impureza (Snº, X) e banda impureza (e, Snº). Um cálculo para energia de ligação do complexo foi proposto, considerando-se uma renormalização dos valores da massa efetiva de buraco, m*b, e da constante dielétrica
ASSUNTO(S)
epitaxia por feixe molecular teoria dos excitons otica
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000047907Documentos Relacionados
- Difusão de estanho e implantação ionica de magnesio em GaAs
- Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico
- Fotoluminescencia em GaAs dopado com Sn
- Exciton polariton emission from a resonantly excited GaAs microcavity
- Aplicação da tecnica de recozimento com solução de Ga-Sn-As ao processamento de F.E.Ts em GaAs dopado por implantação ionica