Comportamento da emissão espontanea em lasers de GaAs
AUTOR(ES)
Ernesto Sa Pinheiro
DATA DE PUBLICAÇÃO
1974
RESUMO
Neste trabalho estudamos em detalhe o comportamento da emissão espontânea em lasers de Arseneto de Gálio ( CaAs ). Este estudo compreendeu duas partes. Na primeira, parte explicamos a não saturação da emissão espontânea no lado de energia baixa da linha do laser, através de urn modelo que se baseava na hipótese de não equilíbrio térmico entre os e elétrons dentro da cauda ( tail ). Na segunda parte, estudamos a emissão espontânea durante e depois da excitação do laser por pulsos de corrente muito rápidos. Nossas medidas de decaimento da emissão espontânea para a corrente acima do limiar e para os estados de energia mais baixa ( na cauda ) mostraram duas constantes de tempo. P. Brosson, J. E. Ripper e N. B. Patel antes observaram Uma redução na intensidade da emissão espontânea em corrente um pouco acima do limiar, para os estados de energia alta da linha do laser e bem próximos desta linha. Este comportamento e as duas constantes de tempo observadas no decaimento da emissão espontânea, interpretamos a partir de um modelo baseado na suposição de não equilibrio térmico ( contrariamente ao que vinha sendo admitido até o presente ) entre os elétrons injetados na região p de um laser de semicondutor. Observamos tempos longos de termalização e de recombinação que aumentavam quando iamos em direção aos estados mais fundos na cauda. Esses tempos mostraram, portanto, uma dependência na energia: quanto mais baixa era a energia na cauda ( tail ) , mais longos eram os tempos de termalização e de recombinação. Observamos tempo longos de termalização mesmo para estados bem próximos e acima da linha do laser. Cálculos computacionais preliminares baseados no nosso modelo concordaram qualitativarnente com os resultados experimentais de medidas de decaimento. Entretanto, estes cálculos ainda estão sendo testados, e por essa razão apresentados aqui.
ASSUNTO(S)
semicondutores lasers em fisica
