Crescimento epitaxial (LPE) de junções abruptas em InAs e estudo de processos de injeção por tunelamento radiativo
AUTOR(ES)
Douglas John Bull
DATA DE PUBLICAÇÃO
1977
RESUMO
Not informed
ASSUNTO(S)
semicondutores - junções cristais - propriedades eletricas
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000047382Documentos Relacionados
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