Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição
AUTOR(ES)
Silva, Ricardo Cunha Gonçalves da
DATA DE PUBLICAÇÃO
2007
RESUMO
O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O sensor usa o efeito de fototensão lateral para gerar um sinal elétrico de saída que é função da posição de incidência da luz. Tecnologia planar do silício foi usada na fabricação do dispositivo, incluindo implantação iônica, difusão, fotolitografia, deposição de filmes metálicos e crescimento de dielétricos. A caracterização elétrica do sensor inclui medidas estáticas, com a distribuição de portadores em regime estacionário, medidas dinâmicas, onde é analisado o transiente do sinal elétrico e medidas espectroscópicas para analisar a resposta do sensor em função do comprimento de onda da luz incidente. Simulações dos processos de fabricação, parâmetros dos passos tecnológicos, distribuição dos portadores e do potencial elétrico bidimensional no sensor foram usadas para a otimização das características do sensor.
ASSUNTO(S)
otica silicio fotodetectores sensores oticos semicondutores potencial eletrico microeletronica junções p-n
ACESSO AO ARTIGO
http://hdl.handle.net/10183/7461Documentos Relacionados
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