Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação

AUTOR(ES)

Luiz Antonio Razera Junior

DATA DE PUBLICAÇÃO

1995

RESUMO

This work presents the mathematical equations, simulations and detailed analysis of DC behavior, harmonic distortion, frequency response and input signal excursion of ten V-I converters, or tranconductors, that use MOS transistors on the saturation region of operation. Those transconductors are divided into four groups, which corresponds to the four chapters of the thesis. They are: Transconductors with Differential Pairs; Transconductors with Adaptative Biasing; Class AB Transconductors; Transconductors Designed at DEMIC/FEE-UNICAMP. Comments are done on each circuit, enhancing their positive and negative aspects, besides comparisons among transconductors of a same group. Suggestions and enhancement proposes are also realized, besides their verification by simulations

ASSUNTO(S)

conversores analogicos-digitais transistores

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