Estudo com aproximação analitica para guias de ondas ativos

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1981

RESUMO

Neste trabalho estudamos teoricamente o guiamento da luz em um laser de semicondutor (de heteroestrutura dupla e geometria de faixa), analisando principalmente o guia de ondas na direção transversal paralela à camada ativa. Nesta direção usamos a forma funcional sech2 (y/y?), para descrever a variação espacial da parte real e imaginária do índice de refração complexo, na região ativa e camadas adjacentes. Com o modelo proposto, obtivemos soluções analíticas para a equação de onda do guia. Estas soluções dão a distribuição espacial de intensidade de luz nos espelhos, chamada distribuição em Campo Próximo. A distribuição em Campo Afastado é obtida numericamente do Campo próximo, através da Transformada de Fourier. Com este modelo é possível analisar dois mecanismos importantes que concorrem para o guiamento da luz: o guiamento real e o guiamento por amplificação diferencial. Estudamos as conseqüências destes processos de guiamento sobre as distribuições em campo próximo e campo afastado. Em particular, estudamos o comportamento do modo fundamental em função da corrente de injeção e da energia do fóton. Para isto usamos distribuições auto-consistentes de portadores e temperatura

ASSUNTO(S)

guias de ondas

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