Estudo da viabilidade da oxidação do silicio por plasma em reator planar

AUTOR(ES)

Peter Jurgen Tatsch

DATA DE PUBLICAÇÃO

1988

RESUMO

Neste trabalho é apresentado um estudo da viabilidade da oxidação do silício por plasma, em reator planar, como prcesso de baixa temperatura para a fabricação de circuitos integrados. No capítulo inicial coloca-se o contexto do trabalho assim como a sua proposiçao. No segundo capítulo apresenta-se uma descrição concisa da fenomenologia e do rnodelamento atinentes ao plasma utilizados no desenvolvimento do trabalho. No terceiro capítulo descreve-se sinteticamente a estrutura do sistema silício-dióxido de silício. O quarto capítulo versa sobre o projeto do reator planar utilizado e sobre os procedimentos experimentais aplicados na , preparação das amostras e na sua caracterização. As amostras foram oxidadas em plasmas de oxigênio e misturas de oxigênio e tetracloreto de carbono. O plasma foi analisado por espectrometria óptica e os filmes de óxido foram estudados através de medidas C-V de alta frequência, elipsometria e taxa de corrosão em reagente P. No último capítulo apresentam-se os resultados experimentais e sua análise. Obtiveram-se densidades efetivas de carga na faixa de 10 11 cm-2 e taxas de oxidação entre 0,4 nm min-l e 1,3 nm min-l, fortemente dependentes das condições do plasma. As medidas de espectrometria óptica mostram que o oxigênio atômico é a espécie principal envolvida no mecanismo da oxidação.

ASSUNTO(S)

circuitos integrados silicio - oxidação

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