Estudo das propriedades de filmes finos de nitreto de alumÃnio produzidos por processo de "magnetron sputtering" em regimes contÃnuo (DC) e alternado (RF).

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DATA DE PUBLICAÇÃO

2004

RESUMO

Este trabalho tem como objetivo o estudo das propriedades de filmes finos de nitreto de alumÃnio produzidos por processo de "magnetron sputtering" usando-se alvo de alumÃnio de alto grau de pureza (99,999%). Os filmes foram produzidos em descargas a plasma sob regimes contÃnuo (DC) e alternado (RF). No curso deste estudo foi investigada a influÃncia da temperatura do substrato (80Â a 500Â C), da concentraÃÃo relativa do gÃs reativo (N2) e do papel exercido pelo gÃs de "sputtering" (argÃnio) sobre as propriedades fÃsico-quÃmicas dos filmes. TambÃm foram investigadas as caracterÃsticas elÃtricas de capacitores do tipo MIS (metal-isolante-semicondutor) em que o nitreto de alumÃnio era o isolante. Diferentes tÃcnicas de caracterizaÃÃo foram empregadas na anÃlise dos filmes, tais como: espectroscopia Raman, reto espalhamento de Rutherford (RBS), perfilometria, microscopia de forÃa atÃmica, nanoindentaÃÃo, espectroscopis de foto-elÃtrons (XPS). A qualidade dos filmes obtidos mostrou forte dependÃncia das condiÃÃes de deposiÃÃo. Os filmes que apresentaram qualidades superiores, seja sob regime contÃnuo, seja sob regime alternado, foram aqueles crescidos em substratos aquecidos (<200Â C) e com argÃnio presente na composiÃÃo da mistura gasosa da cÃmara de processos.

ASSUNTO(S)

nitrato de alumÃno magnetrons propriedades quÃmicas pulverizaÃÃo catÃdica ensaios de materiais propriedades Ãpticas filmes finos propriedades de superfÃcie cristalinidade fÃsico-quÃmica

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