Estudo das propriedades ópticas da super-rede InGaAS/ InGaAIAs: Si através da técnica de fotoluminescência

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2005

RESUMO

Neste trabalho investigamos, através da técnica de fotoluminescência, uma super-rede semicondutora de In0,53Ga0,47As/In0,52Ga0,235Al0,24As dopada com Si, crescida através da técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), sobre InP. As origens das transições ópticas observadas nos espectros de fotoluminescência são atribuídas através da análise do comportamento das transições com a temperatura e a potência de excitação e da comparação com resultados encontrados na literatura. Constatamos a presença de flutuações de potencial de pequena magnitude. Comparamos os resultados experimentais para a transição excitônica com aqueles obtidos a partir de cálculos computacionais baseados na relação de dispersão de energia das mini-bandas de super-redes, estando ambos em excelente concordância. Obtivemos a energia de emissão excitônica de 9 a 300 K e analisamos a aplicabilidade dos modelos de Varshni, Viña e Pässler à variação da energia da transição excitônica observada na super-rede estudada, em função da temperatura, sendo que se mostrou necessária a utilização do modelo de Pässler para ajustar essa variação de maneira adequada. Realizamos, também, um estudo comparativo da variação da emissão excitônica com a temperatura para o InGaAs ?bulk? (material constituinte do poço) e para a super-rede.

ASSUNTO(S)

semicondutores - propriedades óticas física do estado sólido fotoluminescência photoluminescence solid state physics

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