Estudo das transições eletronicas tipo E0 e tipo E1 em superredes de Ge/Si utilizando eletrorreflectancia e fotorreflectancia

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1993

RESUMO

Nós utilizamos eletrorreflectância e fotorreflectância para estudar as transições tipo E0 e tipo El em heteroestruturas tensionadas de Ge/Si com parâmetros estruturais ( espessura das camadas, perfil de tensões e número de camadas de cada material) num amplo intervalo. Nossos resultados mostram que, apesar dos materiais que constituem as heteroestruturas ( Ge, Si ou GexSil-x ) terem o mínimo absoluto da banda de condução distante do centro da zona de Brillouin, as transições tipo E0 podem ser entendidas utilizando uma formulação simples da aproximação da função envelope. Esta interpretação nos permitiu determinar experimentalmente o parâmetro de descasamento de bandas em amostras de Ge/Ge0.7Si0.3. As transições tipo El são bem mais complexas. Em amostras com períodos d ~ 140Å elas estão deslocadas para altas energias, em relação àquelas do material bulk, sugerindo que os estados eletrônicos responsáveis por estas transições sofrem efeitos de confinamento quântico. Em amostras com períodos 15Å £ d £ 45Å as transições tipo El formam um multipleto que, à medida que o período aumenta, pode ser entendido em termos de transições El tipo Ge e tipo Si. Em "poços quânticos" de Ge o número de estrturas tipo El presentes nos espectros aumenta com o número de camadas (poços) de Ge. Nossos resultados sugerem que, apesar das transições tipo El envolverem estados eletrônicos em uma grande região da zona de Brillouin, elas podem ser entendidas qualitativamente considerando a superrede como um "material bulk" perturbado por um potencial periódico

ASSUNTO(S)

espectroscopia de semicondutores raman otica quantica

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