Estudo de lasers semicondutores acoplados a cavidades externas para aplicação em sistemas de alta velocidade
AUTOR(ES)
Luiz Eugenio Monteiro de Barros Junior
DATA DE PUBLICAÇÃO
1992
RESUMO
Este trabalho apresenta um estudo sobre os diodos laser a semicondutor acoplados a urna cavidade externa e sua aplicação a sistemas de comunicação digital de alta velocidade. Primeiramente, é feita urna análise estática do conjunto laser a semicondutor acoplado a urna cavidade externa passiva onde discute-se regimes e pontos de operação. Neste sentido, estuda-se a influência da cavidade externa na freqüência de ressonância e na densidade de portadores necessária para oscilação, bem corno no número de modos presentes. Posteriormente, faz-se urna análise dinâmica baseada no desenvolvimento e na solução numérica das equações de taxa que regem o funcionamento do sistema laser+cavidade externa. Finalmente, faz-se urna avaliação do desempenho desta fonte óptica sob modulação direta quando inseri da num sistema de comunicação digital com taxas de transmissão de até 5 Gbit/s
ASSUNTO(S)
lasers semicondutores engenharia eletrica
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000053893Documentos Relacionados
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