Estudo do efeito da taxa de aquecimento e do pré-tratamento térmico sobre a produção de filmes finos monocristalinos via corte iônico

AUTOR(ES)

Silva, Fernando Schaurich

DATA DE PUBLICAÇÃO

2011

RESUMO

O presente trabalho tem por objetivo avaliar a influência da taxa de aquecimento e do tratamento térmico a baixa temperatura sobre a produção de filmes finos monocristalinos de sílicio autoportantes e íntegros. Para isso, wafers de sílicio monocristalino (001) tipo p foram coimplantados com H e He na proporção de 1:1, respectivamente, e dose total de 4 x 1016 át/cm2. A energia de implantação foi de 168 KeV para o hidrogênio e 345 KeV para o hélio de modo que uma camada danificada localizada a uma profundidade de 1,5μm fosse formada. Posteriormente, as amostras foram tratadas térmicamente a 550oC em uma atmosfera de nitrogênio. Três taxas de aquecimento até a temperatura de 550ºC foram empregadas 0,25oC/s, 2,5oC/s e 50oC/s, além disto um pré-recozimento a 200oC em vácuo durante 20h foi realizado. Para determinar o efeito de cada paramêtro analisado, o aspecto final apresentado pela superfície da amostra foi analisado via microscopia ótica e discutido em termos da mecânica da fratura. Concluiu-se que altas taxas de aquecimento favorecem a propagação instável das trincas o que leva a produção de um filme fino de silício monocristalino íntegro e autoportante e que o pré-tratamento térmico cria condições favoráveis para o crescimento estável das trincas o que prejudica a produção do filme fino íntegro e autoportante.

ASSUNTO(S)

engenharia metalúrgica

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