Estudo e implementação de um processo de fabricação de microponteiras de Si utilizando plasma de hexafluoreto de enxofre e oxigenio

AUTOR(ES)

Juliano Fujioka Mologni

DATA DE PUBLICAÇÃO

2004

RESUMO

We have developed and characterized a silicon microtip fabrication process using radiofrequency (RF) plasma. Reactive Ion Etching processes of silicon and silicon dioxide in a parallel plate reactor were established using SF6 and SF6/O2 gas mixture. The parameters of the fabrication process, such as the etch rate, selectivity, anisotropy and surface quality were characterized and compared with other processes. The etching mechanisms of the developed process were analyzed and characterized. Silicon microtips with different aspect ratios were fabricated and characterized using the gaseous mixture at different concentrations. The best results were obtained using plasma comprised of 25% of oxygen and 75% of sulfur hexafluoride.

ASSUNTO(S)

plasma gravura por plasma cristais de silício

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