Estudo e realização de difusões com dopantes do tipo "preforms" para dispositivos semicondutores de potencia
AUTOR(ES)
Nivaldo Vicençotto Serran
DATA DE PUBLICAÇÃO
1991
RESUMO
Não informado
ASSUNTO(S)
semicondutores engenharia eletrica eletronica
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000042708Documentos Relacionados
- Contribuição ao estudo de defeitos cristalinos em dispositivos semicondutores por catodoluminescencia
- Estudo do comportamento eletrico de dispositivos semicondutores fabricados com filmes finos de a-C:H e a-C:H:N obtidos por RF-PECVD
- Caracterização estrutural e elétrica de óxidos semicondutores do tipo espinélio.
- Medidas eletricas em dispositivos semi-condutores
- Medidas eletricas em dispositivos semi-condutores