Geração e aplicação de transientes eletricos de subpicossegundos

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1991

RESUMO

Descrevemos neste trabalho, o desenvolvimento de chaves elétricas fotocondutivas, utilizadas no estudo da geração e aplicação de transientes elétricos de subpicos-segundos. A análise dos transientes elétricos foi feita pela técnica de amostragem eletro-óptica com um cristal de LiTaO3. Esta técnica explora as propriedades do laser de pulsos ultra curtos (FWHM £ 100 fs) em 625 nm com uma energia de 0.1 nJ, operando a uma taxa de repetição de 100 MHz, assim como o tempo de resposta quase instantânea ( £ 50 fs) do efeito Pockels. Estas características são imprescindíveis tanto na geração do transiente elétrico rápido em GaAs e InP, quanto na técnica de amostragem de alta velocidade. Obtivemos um dispositivo eletro-óptico com uma largura de banda de 0.78 THz. i.e. um sistema de medida de sinais elétricos com uma resolução de 0.46 ps. A performance deste dispositivo associada a outras vantagens desta técnica, tal como a amostragem de sinais elétricos em circuitos integrados, sem contato com o mesmo, torna-o único no estado da arte de amostragem de sinais elétricos ultra-rápidos. A resolução deste dispositivo permitiu o estudo de efeitos de dispersão sobre um transiente de picossegundo, quando se propaga em microlinhas de transmissão coplanar, monstrando-nos a importância do efeito da dispersão material, para sinais com uma largura de banda próximo de THz. Também estudamos o efeito de "overshoot" que ocorre na resposta de chaves elétricas de GaAs e InP, quando excitados por pulsos ópticos de 100 fs. Mostramos que o efeito se deve principalmente ao efeito de cargas espaciais desenvolvido na chave elétrica

ASSUNTO(S)

semicondutores supercondutividade

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