Microscopia fototermica de reflexão aplicada a caracterização de dispositivos microeletronicos
AUTOR(ES)
Jerias Alves Batista
DATA DE PUBLICAÇÃO
1996
RESUMO
Um importante passo para o desenvolvimento de estruturas microeletrônicas é a avaliação não destrutiva de dispositivos em operação. O conhecimento das perdas térmicas nessas estruturas é de grande importância, uma vez que se elas forem excessivas localmente podem indicar a presença de um defeito ou mesmo servir como fonte de propagação de defeitos. Os mapas térmicos são bons indicadores de defeitos em dispositivos microeletrônicos, visto que o perfil de temperatura é sensível às distorções provocadas por estes. Defeitos tais como aqueles provocados por descargas eletrostáticas, fugas de correntes e por eletromigração alteram sensivelmente os perfis de temperatura e de campo elétrico . Neste trabalho a Microscopia Fototérmica de Reflexão é aplicada à caracterização de estruturas resistivas de polissilício e transistores de efeito de campo MOS -MOSFET. As amostras foram gentilmente cedidas pelo Centro Tecnológico para Informática -CTI, Campinas-SP. As trilhas resistivas fazem parte de um chip (KEL VRES) contendo trilhas de várias dimensões. Especificamente trabalhamos com trilhas de 6 e 3. mm de largura e cerca de O,5. mm de espessura. Os transistores são parte de um chip (OSQUARE) construído no IMEC-Bélgica. O transistor a ser analisado é do tipo n-MOS com canal de 30.mm de largura e igual comprimento. Em trilhas resistivas verificamos que o efeito dominante sobre o sinal medido é devido às perdas Joule. Com isso, identificamos efeitos de difusão de calor e mudanças na distribuição de linhas de corrente. Em regime de altas freqüências observamos efeito capacitivo nas trilhas. Em transistores de efeito de campo MOS observamos três componentes para o sinal: uma componente de eletrorefletância, uma devida aos portadores fotogerados e uma de corrente de polarização. Mostramos seis diferentes formas de fazer microscopia nesses dispositivos, pela modulação da voltagem do dreno ou do gate
ASSUNTO(S)
difusividade termica microscopio e microscopia - tecnica
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000111851Documentos Relacionados
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