Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1990

RESUMO

Calculamos, utilizando um formalismo variacional, as energias de ligação de estados de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras dentro da aproximação da massa efetiva. Em um primeiro caso estudamos os estados de doadores ionizados em Ge sob pressão uniaxial na direção [111] .Calculamos também, para poços quânticos, o efeito de um campo elétrico longitudinal sobre as densidades de estados de impureza e espectros de absorção ótica associado a impurezas. Para fios de poços quânticos estudamos as densidades de estados de impureza e analisamos o efeito de levarmos em consideração uma função dielétrica com dependência espacial. Apresentamos ainda, para fios de poços quânticos, espectros de absorção ótica associada a transições entre a sub-banda de valência e a banda de doadores

ASSUNTO(S)

semicondutores

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