Propriedades eletrônicas de hetero-estruturas de semicondutores zincblende. / Electronic properties of zincbled semiconductor heterostructures.

AUTOR(ES)

Valmir Antonio Chitta

DATA DE PUBLICAÇÃO

1987

RESUMO

Utilizou-se um Hamiltoniano KP (6x6) do tipo Kane para, se estudar a estrutura de bandas e níveis de Landau para heteroestruturas de semicondutores zincblende dos grupos III-V e II-VI. Os efeitos do acoplamento entre as bandas de condução e valência, da mistura dos estados da banda de valência, da não-parabolicidade dos níveis, da total degenerescência dos níveis, do warping e das descontinuidades das massas efetivas nas heterointerfaces são levados em conta. Mostrou-se que a interação entre as bandas de condução e valência não pode ser desprezada, mesmo para semicondutores de gap largo, como citado em trabalhos existentes na literatura. Para um estudo sistemático do modelo, utilizou-se um poço quântico de GaAs Ga(Al)As e então aplicou-se o modelo a um sistema de semicondutores semi-magnéticos (poço quântico de CdTe Cd(Mn)Te).

ASSUNTO(S)

heteroestruturas semicondutoras estrutura eletrônica método k.p semicondutores ii-iv k.p method electronic structure ii-iv semiconductors. semiconductor heterostructures magneto-optics magneto-óptica

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