Prototipo para a estabilização de frequencia de lasers semicondutores em cavidades externas
AUTOR(ES)
Aldario Chrestani Bordonalli
DATA DE PUBLICAÇÃO
1992
RESUMO
Apresenta-se a implementação de um protótipo para a estabilização da freqUência de um laser semicondutor por variação do comprimento de sua cavidade externa, através de uma realimentação negativa em elementos piezoelétricos que deslocam o elemento reflexivo externo (grade de difração) da cavidade. Pôde-se comprovar a operação monomodo do laser em cavidade externa em 1300 nm através da utilização de um interferômetro de Fabry-Perot como espectrômetro. Estabilizou-se a freqUência da cavidade em um valor estimado de 8,2 MHz em torno da freqUência central (que corresponde a aproximadamente 2,3 THz), durante um tempo máximo de 3,5 minutos
ASSUNTO(S)
engenharia eletrica semicondutores
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000049067Documentos Relacionados
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