Recombinação radiativa de centros profundos em seleneto de zinco dopado com indio, ZnSe:In
AUTOR(ES)
Antonio Carlos Buriti da Costa
DATA DE PUBLICAÇÃO
1983
RESUMO
A fotoluminescência do Seleneto de Zinco dopado com Indium (ZnSe:In) foi estudada usando-se diferentes energias das linhas de um laser de Argônio (Ar) e a única linha de um laser de Nitrogênio (N2), como fontes de excitação. No primeiro caso, com energias de excitação menores do que a zona proibida, duas bandas de emissão foram observadas (1,908 eV e 2,015 eV). No segundo, com excitação maior do que a zona proibida, além daquelas duas bandas já observadas encontrou-se uma terceira (1,908 eV, 2,015 eV e 2,233 eV). Esta última (2,233 eV), em principio, deveria ser observada com excitação das linhas do laser de Argônio. O não aparecimento da banda C é justificado através de uma experiência de fotoexcitação, onde a fotoionização de cada nível de impureza que dá origem as bandas (1,908 eV, 2,015 eV e 2,233 eV) depende da energia de excitação. Um modelo semi-qualitativo dos níveis de impurezas dentro da zona proibida de ZnSe é apresentado para explicar os processos de excitação e emissão
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