Bjt
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1. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. / Analog performance of dynamic threshold voltage SOI MOSFET.
This work presents the study of analog performance parameters of PDSOI (Partially-depleted) transistor in comparison with a Dynamic Threshold MOS transistor (DTMOS). The DTMOS is a partially-depleted device with dynamic threshold voltage. This variation of threshold voltage is obtained when the gate is connected to the silicon film (channel) of the PDSOI dev
Publicado em: 2009
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2. Um Estudo sobre a Validade do Modelo Exponencial do BJT Visando a Linearização de Amplificadores de Potência em RF
A tarefa de otimizar ou viabilizar a implementação de amplificadores com melhor rendimento e linearidade seria facilitada se um modelo analítico completo do transistor BJT fosse desenvolvido, pois a partir desse seria possível a construção de linearizadores mais eficientes, não só em termos de custo, mas também de operação. O objetivo inicial dest
Publicado em: 2003
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3. Pre-distortion Linearization Technique Employing an Exponential Nonlinear Model / Técnica de Linearização por Pré Distorção Empregando um Modelo Não Linear Exponencial
O estudo dos efeitos não lineares indesejáveis causados pelo comportamento inerente aos dispositivos ativos, torna-se cada vez mais importante devido às aplicações no nosso dia-a-dia. Seja nos equipamentos eletrônicos de entretenimento ou nos sistemas de telecomunicações dos quais somos dependentes, tais como enlaces de rádio, microondas e nas comun
Publicado em: 2003