Bragg Diffraction
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1. Hyperbranched polyester polyol plasticized tapioca starch/low density polyethylene blends
Abstract In this work, low density polyethylene (LDPE)/plasticized starch (TPS) blends were prepared. The TPS employed in this study was obtained by plasticization of tapioca starch with a hyperbranched polyester polyol. Differential scanning calorimetry analysis showed that the melting temperature increased with the TPS content. The opposite effect was exhi
Polímeros. Publicado em: 2017-03
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2. Desenvolvimento de amostras padrão de referência para difratometria / Development of standart reference samples for diffractometry
Neste trabalho foram desenvolvidas amostras de materiais padrão de referência para difratometria de policristais. Materiais de alta pureza foram tratados mecânica e termicamente até atingirem as características necessárias para serem usados como materiais padrão de referência de alta qualidade, comparáveis àqueles produzidos pelo NIST. As medidas f
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 05/05/2011
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3. AÇO DUPLEX LDX 2101 SUBMETIDO À NITRETAÇÃO POR IMPLANTAÇÃO IÔNICA, IMPLANTAÇÃO IÔNICA POR IMERSÃO EM PLASMA E DESCARGA LUMINOSA: PROPRIEDADES MECÂNICAS E TRIBOLÓGICAS
In the present work showing the results on mechanical and tribological properties of duplex stainless steel LDX2101 nitriding by Ion Implantation (II), Plasma Immersion Ion Implantation (PI3) and Glow Discharge (GD). Nitrogen ion implantation was performed at room temperature and 350 C. The nitrogen fluencies were combined to obtain an atomic nitrogen concen
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/04/2011
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4. Difração Bragg-Superfície no estudo de sistemas epitaxiais baseados em pontos quânticos de InAs/GaAs / Bragg-surface diffraction on the study of epitaxial systems based on InAs/GaAs quantum dots
Nanodispositivos são objetos fabricados pelo homem com estruturas internas as quais têm ao menos uma dimensão física em escala nanométrica. A baixa dimensionalidade implica em níveis de energia quantizados, conferindo notáveis diferenças às propriedades ptoelétricas desses dispositivos, o que os torna bastante atrativos para a indústria de micro e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/03/2011
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5. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes / Structural study of semiconductors nanosystems and implanted semiconductors by means of n-beams X-ray diffraction
In this paper, X-ray multiple diffraction (MD) associated with the advantages of synchrotron radiation appears as a high-resolution microprobe and it is used to obtain relevant contributions to the study of structural properties of semiconductor materials, as they present themselves nanosystems epitaxial or implanted with ions. The study and detection of neg
Publicado em: 2010
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6. New electronic technique for temperature measurement with 0.5 mº C resolution using optical fiber bragg gratings / Nova tecnica eletronica para medida de temperatura com resolução de 0,5 mºC usando sensores de fibras opticas com grades de Bragg
Por serem eletricamente passivos e imunes à interferência eletromagnética, os sensores a fibra óptica estão se tornando uma excelente escolha para o sensoreamento em várias aplicações, como aeroespacial, distribuição e geração de energia elétrica, transportes ferroviários, e equipamentos de segurança militares. Entre outras vantagens está o f
Publicado em: 2009
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7. Modelagem de cristais fotônicos tridimensionais pelo método das diferenças finitas no domínio do tempo (FDTD) / Modeling of tridimensional photonic crystals by the finite difference time domain method (FDTD)
A modelagem numérica de cristais fotônicos tridimensionais é o objeto de estudo deste trabalho. Especificamente, o método das diferenças finitas no domínio do tempo (FDTD) é utilizado para a modelagem de um cristal FCC (face-centered-cubic) formado por opalas de látex imersas em ar. Por meio de uma análise comparativa com o cristal formado por opala
Publicado em: 2008
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8. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/02/2007
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9. Estruturas multicamadas de silício poroso para aplicação em dispositivos de cristais fotônicos. / Porous silicon multilayers structures for application in photonic crystals device.
The aim of the present work was to study and analyze the optical response of one- dimensional (1D) photonic crystal devices obtained by using the porous silicon technology. The experimental results obtained from this work showed the significant contribution to the development of a technological process for optical device fabrication in the silicon substrate.
Publicado em: 2007
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10. PROPRIEDADES MECÂNICAS E TRIBOLÓGICAS DE AÇO AUSTENÍTICO 304 SUBMETIDO À NITRETAÇÃO POR: IMPLANTAÇÃO IÔNICA E IMPLANTAÇÃO IÔNICA POR IMERSÃO EM PLASMA.
The aim of this work is to characterize the mechanical and tribological properties of AISI 304 austenitic stainless steel submitted to N+ ion implantation and Nitrogen plasma immersion ion implantation (PI3). The ion implantation conditions were to obtain a plateau distribution of N íons in atomic concentrations of up to 27. The PI3 nitretation were perform
Publicado em: 2007
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11. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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12. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007