Caracteristicas Da Capacitancia Por Tensao
Mostrando 1-7 de 7 artigos, teses e dissertações.
-
1. Espectroscopia de Impedância aplicada em Heterojunções para Células Solares Fotovoltaicas / Espectroscopia de Impedância aplicada em Heterojunções para Células Solares Fotovoltaicas
As propriedades elétricas das heterojunções de Alumínio/Silício-p monocristalino foram estudadas pela técnica de espectroscopia de impedância e análise de capacitância em função do potencial. Estas técnicas não são destrutivas, nem invasivas e conta com elevada precisão. Quando associadas a outras técnicas podem fornecer informações compree
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/2011
-
2. Propriedades opticas e eletricas de nanoestruturas de Si / Optical and electrical properties of silicon nanostructures
Analisamos amostras de óxido de silício rico em silício (SRSO) obtidas por um sistema de deposição química de vapor com ressonância ciclotrônica de elétrons (ECR-CVD). Propriedades estruturais, de composição, ópticas e elétricas foram estudadas por transformada de Fourier de absorção no infravermelho (FTIR), microscopia eletrônica de transmis
Publicado em: 2009
-
3. Utilização de filmes de carbono tipo-diamante nitrogenados e fluorados como materiais eletrônicos.
Este trabalho tem por objetivo principal estudar as alterações que possam vir a ocorrer nas propriedades eletrônicas do filme de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H), em virtude da incorporação dos aditivos nitrogênio e flúor. A deposição dos filmes a-C:H, a-C:H:N e a-C:H:F que foram estudados neste projeto de doutorado foi realizada através da técn
Publicado em: 2008
-
4. Modelos para definição de ondas de corrente e tensão representativas das solicitações de sistemas de distribuição por descargas atmosféricas
A percepção de que componentes de sistemas elétricos de distribuição podem ser submetidos a formas de onda de tensão e corrente diferentes das recomendadas por normas para a avaliação de seu desempenho em laboratório motivou a realização de estudos computacionais dedicados a investigar os principais mecanismos de interação entre as descargas atm
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/08/2006
-
5. Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho. / Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors.
Este trabalho visa à caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores fotovoltaicos na faixa do infravermelho médio. Para isto, uma série de junções p-n foi crescida com sucesso por epitaxia de feixe molecular sobre substratos de fluoreto de bário. Nesta série, a concentração de buracos p ficou mantida fixa em 1017
Publicado em: 2004
-
6. Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors. / Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho.
This work reports on the electrical characterization of PbTe p-n junctions for application in photovoltaic detectors in the medium infrared range. For this purpose, a series of p-n junctions, where the hole concentration p was kept at 1017 cm-3 and the electron concentration n varied between 1017 and 1019 cm-3, was successfully grown by molecular beam epitax
Publicado em: 2004
-
7. Deposição de filmes finos de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) por plasma de RF
Filmes finos de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) foram obtidos através .da técnica de deposição química a partir da fase de vapor assistida por plasma de RF (RFPECVD). Os filmes foram depositados em um reator de placas paralelas utilizando como fonte do gás o metano (CH4) e a mistura gasosa metano/tetrafluoreto de carbono (CHJCF4).Os filmes de a-C:H
Publicado em: 1996