Cmos Integrated Circuits
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1. Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level
In nanometer scale complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) parameter variations pose a challenge for the design of high yield integrated circuits. This work presents models that were developed to represent physical variations affecting Deep- Submicron (DSM) transistors and computationally efficient methodologies for simulating these devices using Elec
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2011
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2. CMOS digital integrated circuit design faced to NBTI and other nanometric effects / Projeto de circuitos integrados digitais CMOS face ao NBTI e outros efeitos nanométricos
Esta dissertação explora os desafios agravados pela miniaturização da tecnologia na fabricação e projeto de circuitos integrados digitais. Os efeitos físicos do regime nanométrico reduzem o rendimento da produção e encurtam a vida útil dos dispositivos, restringindo a utilidade dos padrões de projeto convencionais e ameaçando a evolução da tec
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2010
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3. Síntese Automática de Células CMOS / Automatic synthesis of CMOS cells
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de uma nova ferramenta para a síntese automática de células, a partir de uma descrição estrutural no nível lógico. A ferramenta esta sendo integrada ao sistema TRAMO3, e visa eliminar a necessidade do use de biblioteca de células na geração de circuitos. Uma revisão sobre síntese de leiaute e metodologias
Publicado em: 2010
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4. Projeto de um conversor analógico-digital para um receptor Bluetooth em tecnologia CMOS. / Analog to digital converter design for a Bluetooth receiver in CMOS technology.
In this work, an Analog to Digital Converter (ADC) fulfilling the Bluetooth standard specifications is designed. This block stays at the reception side of an integrated wireless transceiver in CMOS technology. Initially, an analysis of the ADC as a system is carried out, at the same time that the specifications at that level are developed. The architecture a
Publicado em: 2010
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5. Estudo e implementação de lógica adiabática para circuitos integrados com baixo consumo / Study and implementation of adiabatic logic for low-power integrated circuits
Este trabalho está inserido no ramo de microeletrônica, mais especificamente em circuitos integrados de baixo consumo. Trata-se de um campo importante visando diminuir o consumo de energia mundial, possibilitar a utilização de equipamentos com fonte de baterias por mais tempo e diminuir o custo de resfriamento de circuitos, além do consumo de energia do
Publicado em: 2010
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6. Aplicação da programação geométrica no projeto de filtros Gm-C para receptores RF CMOS. / Application of geometric programming to the desing og GM-C filters for CMOS RF receivers.
A tendência do mercado da microeletrônica é integrar em um mesmo chip sistemas eletrônicos completos, incluindo simultaneamente circuitos analógicos, digitais e RF. Por causa da complexidade do problema de projeto, a parte analógica e RF desses sistemas é o gargalo do desenvolvimento. Uma alternativa de projeto para circuitos analógicos é formular o
Publicado em: 2010
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7. An estimation method for gate delay variability in nanometer CMOS technology
In the nanoscale regime of VLSI technology, circuit performance is increasingly affected by variational effects such as process variations, power supply noise, coupling noise and temperature changes. Manufacturing variations may lead to significant discrepancies between designed and fabricated integrated circuits. Due to the shrinking of design dimensions, t
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2010
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8. Risco : microprocessador RISC CMOS de 32 bits / Risco - a 32-bit CMOS RISC microprocessor
Este trabalho apresenta o estudo, a definição e a simulação elétrica e lógica de um microprocessador CMOS de 32 bits, com arquitetura tipo RISC - o Risco. Dentre as principais características do Risco destacam-se: dados, instruções e endereços são palavras de 32 bits; a unidade de endereçamento é a palavra, permitindo um acesso a 4 Giga palavras
Publicado em: 2010
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9. Circuito elevador de tensão de alta eficiencia, controlado por duas fases de clock, implementado em tecnologia CMOS / High efficiency voltage mutiplier circuit, controlled by two clock phases, fabricated in CMOS technology
Este trabalho propõe uma nova estrutura de circuito elevador de tensão de onda completa implementável em tecnologia CMOS padrão, que tem como características relevantes uma eficiência energética maior do que estruturas similares anteriores, seu controle é efetuado por apenas duas fases de clock e também esta estrutura implementa controle de sobre-te
Publicado em: 2009
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10. Verificação e otimização de atraso durante a síntese física de circuitos integrados CMOS / Timing verification and optimization in physical synthesis of cmos integrated circuits
Este trabalho propõe um método de otimização de atraso, através de dimensionamento de transistores, o qual faz parte de um fluxo automático de síntese física de circuitos combinacionais em tecnologia CMOS estática. Este fluxo de síntese física é independente de biblioteca de células, sendo capaz de realizar, sob demanda, a geração do leiaute a
Publicado em: 2009
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11. Synthese topologique de macro-cellules en technologie cmos
Les problèmes majeurs de la génération automatique du dessin des masques des circuits intégrés sont la dépendance vis-à-vis des règles de dessin et le dimensionnement correct des transistors. Les méthodes traditionnelles, telles que l'utilisation de cellules pré-caractérisées, manquent de flexibilité, car les portes des bibliothèques (en nombre
Publicado em: 2009
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12. Integrated passive inductors for radio frequency applications / Indutores integrados passivos para aplicações em radio frequencia
This work aims the design and implementation of integrated passive inductors based on CMOS and BiCMOS processes. The inductors are essential devices in radio frequency applications and are used in many RF circuits such as amplifiers and oscillators. The inductors performance is mainly limited by metal and substrate losses. Although various methods of improve
Publicado em: 2008