Contatos Ohmico
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1. Controlled depositioin and characteristics of electrical properties of carbon nanotubes / Deposição controlada e caracteristicas das propriedades eletricas em nanotubos de carbono
Not informed
Publicado em: 2007
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2. "Propriedades ópticas e elétricas de filmes epitaxiais de GaAs:Si crescidos na superfície (311)A"
Um estudo sistemático de caracterização de filmes de GaAs dopados com Silício e crescidos por Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados na superfície (311)A, foi desenvolvido visando compreender os mecanismos de incorporação do Si no filme. Na superfície (311)A o Si tem comportamento anfótero, ou seja, pode ocupar tanto o s�
Publicado em: 2002
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3. FORMATION AND PROPERTIES OF NANOMETER-THICK PLATINUM SILICIDE LAYERS
Os filmes finos de siliceto de platina são largamente usados em dispositivos de silício como contatos ôhmico e Schottky. Têm-se demonstrado recentemente que barreiras Schottky empregando filmes ultra-finos de siliceto de platina (espessura <10 nm) podem ser usados em fotodetecção no infravermelho próximo. Neste trabalho foi estudada a formação de fi
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 1996