Corrente De Tunelamento
Mostrando 1-12 de 27 artigos, teses e dissertações.
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1. Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante tipo-p
Neste trabalho investigamos efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante p-i-p de GaAs/AlAs na presença de campo magnético paralelo à corrente túnel. Para isso, realizamos um estudo sistemático das curvas características de corrente-voltagem I(V) e da fotoluminescência (PL) resolvida em polarização das camadas do contato e do poço-quântico
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/03/2012
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2. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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3. Controle de Corrente de Spin em Pontos Quânticos na Presença de Tensões de Porta Moduladas no Tempo
Since Loss &DiVincenzo proposal to use confined electron spins in quantum dots (QDs) as a building block for qubits in solid state systems, spin-dependent transport in QDs has attracted a lot of attention. The interest for this system increased even further with the recent experimental developments to coherently control (initialization-manipulation-read out)
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/08/2011
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4. Estudo do Tunelamento em Junções Túnel de CoFeB=MgO=CoFeB / Study of tunneling in Tunnel Junctions CoFeB=MgO=CoFeB
Junções túnel magnéticas (MTJ) deCoFeB=MgO=CoFeB e multicamadas deCoFeB=MgO)x3 foram produzidas utilizando a técnica de magnetron sputtering, onde o filme isolante foi crescido em atmosfera reativas, Ar+O. As multicamadas foram produzidas visando medidas de difração de raio-X (XRD) e magnetização. As junções, para medidas de transporte. Todas as c
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/02/2011
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5. Caracterização eletroquímica de uma monocamada auto-organizada mista composta por ácido 3-mercaptopropiônico e ácido 11-mercaptoundecanóico / Electrochemical characterization of a mixed 3-mercaptopropionic and 11-mercaptoundecanoic acids self-assembled monolayer
Monocamadas auto-organizadas formadas pela quimissorção de alcanotióis sobre ouro apresentam estruturas bem definidas, organizadas e reprodutíveis. As propriedades de SAMs, aliadas à facilidade de síntese, têm atraído o interesse da comunidade cientifica o que ocasionou um grande avanço na área de nanotecnologia, especialmente em engenharia de supe
Publicado em: 2011
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6. Rompimento do dielétrico em junções túnel
Neste estudo foi analisado o rompimento da camada isolante em junções túnel (BD). As amostras utilizadas foram produzidas por “magnetron sputtering” a partir de alvos de Al e a camada isolante obtida através da oxidação de parte da camada de Al depositada. As curvas experimentais de corrente versus tensão das junções foram ajustadas usando o mod
Publicado em: 2010
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7. Dissociação da molécula de água em superfícies de silício: um estudo teórico / Dissociation of water molecule on silicon surfects: a theoretical study
O silício é o material-base para a indústria de microeletrônica e tem acompanhado a evolução para a nanoeletrônica. Em várias aplicações é importante o processo de química molhada que prevê a presença de moléculas de água na superfície do semicondutor. Todavia, muito pouco ainda é conhecido, teórica e experimentalmente, sobre os mecanismos
Publicado em: 2010
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8. Prorpiedades de transportes em fios e poÃos quÃnticos. / Transport Properties of Quantum Wells and Quantum Wires
Materiais semicondutores sÃo os principais responsÃveis pelo grande crescimento da indÃstria eletrÃnica e pelo surgimento de novas tecnologias. A criaÃÃo de heteroestruturas possibilitou um grande impulso à fÃsica do estado sÃlido. Atualmente, o estudo de semicondutores està concentrado em sistemas de dimensionalidade reduzida, como os poÃos, fios
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/07/2009
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9. Estudos das propriedades elétricas de diodos poliméricos com eletrodo injetor à base de óxido de zinco / Studies of Electrical Properties of polymeric diodes with injector eletrode based on zinc oxide.
A presente tese de doutorado apresenta um estudo comparativo das características elétricas de dispositivos emissores de luz poliméricos (PLEDs) confeccionados com óxido de índio dopado com zinco (IZO) como eletrodo transparente alternativamente ao ITO comumente usado em dispositivos poliméricos. As propriedades elétricas de filmes de IZO depositados a
Publicado em: 2009
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10. 5-(4-PIRIDIL)-1,3,4-(OXADIAZOL)-2-TIOL E Na3[Fe(CN)5Hpyt].3H2O: SÃntese, caracterizaÃÃo e estudos de formaÃÃo de monocamadas automontadas. / 5-(4-piridil)-1,3,4-(oxadiazol)-2-tiol e na3[fe(cn)5hpyt].3h2o: synthesis, characterization and studies of formation of SAM (sef-assembled monolayers)
As espÃcies 5-(4-piridil)-1,3,4-oxadiazol-2-tiol (Hpyt) e [Fe(CN)5Hpyt]3- (FeHpyt) adsorvem espontaneamente sobre ouro formando monocamadas automontadas (SAM - "Self-Assembled Monolayers") das quais, de acordo com os dados eletroquÃmicos, apresentam defeitos ou nanoporos por onde as molÃculas de prova [Fe(CN)6]4â e [Ru(NH3)6]3+ acessam a superfÃcie do e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/07/2007
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11. Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante não-magnéticos tipo-n
Neste trabalho, estudamos os efeitos de polarização de spin em diodos de tunelamento resssonante (RTDs) assimétricos tipo n. Quando sujeitos a um campo magnético externo paralelo a corrente de tunelamento, o efeito Zeeman leva a um spin-splitting dos níveis confinados na estrutura. A injeção de portadores dependentes de spin em diodos assimétricos fo
Publicado em: 2007
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12. Efeitos da baixa altura do potencial da barreira em junções túnel magnéticas
Junções túnel com eletrodos ferromagnéticos (Py/AlOx/Co) foram produzidas usando a técnica de desbastamento iônico e depositadas sobre condições de oxidação que garantem baixa altura da barreira de potencial, baixa assimetria da barreira, forte dependência da magnetorresistência túnel com a tensão aplicada e o tunelamento quântico como mecanis
Publicado em: 2007