Crescimento Mocvd
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1. Atividade fotocatalítica sob luz visível e reutilização de filmes de TiO 2 dopados com N crescidos por MOCVD
Resumo O crescimento de filmes de TiO2 dopados com nitrogênio sobre vidro borossilicato foi efetuado a 400 °C por deposição química de organometálicos em fase vapor (MOCVD) visando a remoção de corantes da água sob luz visível. O efeito da dopagem nas propriedades estruturais, morfológicas e fotocatalíticas dos filmes foi avaliado. Análises por
Cerâmica. Publicado em: 2020-12
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2. Growth and characterization of low dimensional structures for applications in the visible spectrum / Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro visivel
Os nitretos (Ga, Al, In)N assim como os compostos GaInP, GaCuO2, representam um sistema de materiais muito importante para as aplicações em opto-eletrônica e dispositivos tais como os diodos emissores de luz (LEDs), lasers e nanosensores. Entretanto, o requisito essencial para as aplicações industriais desses materiais é a redução em seus tamanhos. N
Publicado em: 2007
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3. Nucleação e crescimento de filmes de diamante em substratos de zircônia parcialmente estabilizada
Neste trabalho foi investigado o processo de deposição de filmes auto-sustentados de diamante por deposição química a vapor (CVD) sobre substrato de zircônia parcialmente estabilizada com ítria (Zr02 PE). O objetivo principal foi entender os mecanismos responsáveis pelo fato do filme não aderir a este substrato e apresentar excelente grau de cristal
Publicado em: 2007
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4. Caracterização de multicamadas TiO2/TiNxOy por tecnicas de difração de raios-X
Técnicas de Difração de Raios-X foram utilizadas com o objetivo de caracterizar as propriedades mecânicas de filmes finos e multicamadas de TiO2 e TiNxOy, com diferentes espessuras, crescidas por deposição química de organometálicos em fase vapor a baixa pressão (LP-MOCVD) sobre substratos de Si(001) e Al2O3(012) (safira). Foram realizadas experiên
Publicado em: 2003
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5. Influência dos parâmetros de crescimento em filmes finos de TiO2 depositados pelo método MOCVD
A síntese de filmes finos de TiO2 por meio do método MOCVD é descrita. Foi estudada a influência de parâmetros de deposição usados durante o crescimento nas características estruturais obtidas. Foram combinados diferentes temperaturas do banho organometálico, tempo de deposição, temperatura e tipo do substrato. A forte influência destes parâmetr
Cerâmica. Publicado em: 2002-12
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6. Influência dos parâmetros de crescimento de filmes finos de TiO2 depositados pelo método MOCVD
A síntese de filmes finos de TiO2 foi feita pelo método de deposição química do vapor de organometálicos (MOCVD). Foi estudada a influência de parâmetros de deposição usados durante o crescimento, nas características estruturais finais. Foi feita uma combinação de vários parâmetros experimentais: temperatura do banho do organometálico, tempo
Cerâmica. Publicado em: 2002-03
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7. Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs
Um trabalho inicial sobre a fabricação de HBT e o estudo de suas estruturas foram realizados no TIT (Tokyo Institute of Technology) no Japão. Neste Instituto foram desenvolvidos os processos de crescimentos de HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP/GaAs por MOMBE (Metalorganic Molecular Beam Epitaxy). A camada da base deste dispositivo foi altamen
Publicado em: 2001
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8. SELECTIVE AREA EPITAXIAL GROWTH OF III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS / CRESCIMENTO EPITAXIAL SELETIVO DE ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS III-V VISANDO A INTEGRAÇÃO OPTOELETRÔNICA
A integração monolítica de um modulador com um guia de onda é de muito interesse para aplicação em comunicações ópticas pelo fato de que podemos diminuir as perdas por acoplamento óptico entre os dois dispositivos e usar moduladores curtos que operem em altas taxas de transmissão de dados. O crescimento epitaxial seletivo é uma das técnicas mais
Publicado em: 2000
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9. Emprego da espectroscopia de eletrons auger na otimização do crescimento de estruturas semicondutoras em MOCVD
Not informed
Publicado em: 1991
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10. Crescimento epitaxial de heteroestruturas de poços quanticos por MOCVD
Using optical and electrical characterizations. We investigated the MOCVD growth of GalnP layers and a variety of heterojunctions showing the viability of replacing Ga0.64Al0.36As by GalnP lattice matched to GaAs substrate. The measured electrical characteristics of heterojunctions has shown that it is possible to monitor the reactor growth conditions. The o
Publicado em: 1991