Crescimento Seletivo Epitaxial
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1. Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado. / Influence of Selective Epitaxial Growth (SEG) in strained SOI triple gate N transistors.
Este trabalho apresenta um estudo da influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em dispositivos tensionados mecanicamente (strain) em transistores SOI MuGFET de porta tripla. Com a evolução da tecnologia de integração de transistores, alguns efeitos parasitários são eliminados ou diminuídos, porém outros novos surgem. A tecnologia SOI MuGFET
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/05/2011
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2. Study of the source and drain series resistance in SOI FinFETs triple gate transistors and with strained channel. / Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
This work presents the study of the source and drain series resistance behavior in standard and strained SOI FinFETs triple gate transistors. In SOI FinFETs transistors there is an increase of the source and drain series resistance due to the narrow of these regions, being this parameter a key limiting factor to the next generations. The use of strained tran
Publicado em: 2009
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3. SELECTIVE AREA EPITAXIAL GROWTH OF III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS / CRESCIMENTO EPITAXIAL SELETIVO DE ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS III-V VISANDO A INTEGRAÇÃO OPTOELETRÔNICA
A integração monolítica de um modulador com um guia de onda é de muito interesse para aplicação em comunicações ópticas pelo fato de que podemos diminuir as perdas por acoplamento óptico entre os dois dispositivos e usar moduladores curtos que operem em altas taxas de transmissão de dados. O crescimento epitaxial seletivo é uma das técnicas mais
Publicado em: 2000