Cristais De Silicio
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1. Síntese da zeólita A utilizando diatomita como fonte de sílicio e alumínio
A zeólita A é uma típica zeólita sintética muito utilizada nas indústrias como trocador de íons em formulação de detergentes. Por outro lado, a diatomita, material rico em sílica (cerca de 80%), é utilizada em diversos setores industriais como agente filtrante. Neste trabalho é apresentada a síntese da zeólita A utilizando a diatomita como font
Cerâmica. Publicado em: 2014-03
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2. Redução do teor de fósforo dos aços em convertedores LD através de adição de briquete
O teor de fósforo nos minérios de ferro vem aumentando consideravelmente e isso dificulta a produção de aços com rigorosos requisitos de qualidades. Para atender a exigência de aços com baixos teores de fósforo no LD, foi desenvolvido uma metodologia de desfosforação do aço por meio da adição de briquete de carepa e nas corridas em que o teor de
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/02/2012
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3. Caracterização pelo método de rietveld da zircônia tetragonal em sistemas ZrO2-SiO2 obtidos por sol-gel
Materiais a base de zircônia (ZrO2) têm sido empregados como cerâmicas estruturais, revestimento para barreiras térmicas, catalisadores, eletrólitos para células a combustível, dispositivos óticos e eletrônicos, etc. A funcionalidade destes materiais é definida por suas propriedades físico-químicas e mecânicas, muitas das quais podem ser control
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/12/2011
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4. AVALIAÇÃO IN VIVO E IN VITRO DE TERAPIAS DE USO EM CONSULTÓRIO PARA O TRATAMENTO DA HIPERSENSIBILIDADE DENTINÁRIA / IN VIVO AND IN VITRO ASSESSMENT OF IN-OFFICE THERAPIES USED FOR TREATING DENTINAL HYPERSENSITIVITY
Caracterizada pelo desconforto causado por dores leves até insuportáveis, a hipersensibilidade dentinária (HD) é uma situação clínica frequente, exigindo do profissional o desafio da escolha de uma terapia adequada. Assim, este trabalho teve por objetivo realizar uma avaliação clínica e morfológica da ação de quatro terapias de uso em consultór
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 06/12/2011
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5. Modelagem de sistema de detecção para mamografia por emissão de pósitrons utilizando detectores cintiladores monolíticos / Modeling of a detection system for positron emission mammography using monolithic scintllator detectors
O objetivo deste trabalho foi propor, caracterizar e avaliar, por meio de simulações computacionais, um sistema de detecção de um tomógrafo PET (Positron Emission Tomography) dedicado para pequenas regiões. Os principais fatores considerados para a modelagem do sistema foram: resolução energética, resolução espacial, sensibilidade de detecção e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 05/10/2011
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6. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo. / Deposition of hydrogenated amorphous silicon thin films by reactive sputtering.
Neste trabalho filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram depositados no reator magnetron sputtering do laboratório de sistemas integráveis (LSI), a temperaturas menores que 100 °C, pela introdução do gás hidrogênio junto com o de argônio para pulverização de um alvo de silício policristalino. As condições de deposição investig
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/10/2010
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7. Crescimento de filmes finos cristalinos de dióxido de titânio por sistemas magnetron sputtering.
Nesse trabalho é reportado o crescimento de filmes finos de dióxido de titânio (TiO2) por duas técnicas assistidas a plasma chamadas magnetron sputtering convencional (MSC) e magnetron sputtering catodo oco (MSCO). O dióxido de titânio foi crescido sobre substratos de silício, variando alguns parâmetros de plasma como, por exemplo, a distância axial
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/02/2010
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8. Crescimento de filmes finos cristalinos de dióxido de titânio por sistemas magnetron sputtering.
Nesse trabalho é reportado o crescimento de filmes finos de dióxido de titânio (TiO2) por duas técnicas assistidas a plasma chamadas magnetron sputtering convencional (MSC) e magnetron sputtering catodo oco (MSCO). O dióxido de titânio foi crescido sobre substratos de silício, variando alguns parâmetros de plasma como, por exemplo, a distância axial
Publicado em: 2010
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9. A fusão zonal horizontal aplicada ao crescimento de policristais grosseiros de alumínio
A fusão zonal compreende uma família de métodos para controle e distribuição de impurezas na qual uma pequena zona fundida é deslocada lentamente ao longo de um material sólido, redistribuindo o soluto. Ela é utilizada na purificação de materiais, num processo denominado refino zonal, mas também pode ser usada na distribuição homogênea ou desco
Publicado em: 2010
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10. Análise de parâmetros de recozimento ultra-rápido em chapas de aço elétrico de grão não-orientado totalmente processado
O presente trabalho consiste de uma análise da influência de parâmetros empregados na etapa de recozimento ultra-rápido contínuo em chapas de aço elétrico de grão nãoorientado totalmente processado, sobre as propriedades magnéticas e metalúrgicas. Os parâmetros estudados foram: taxa de aquecimento e resfriamento, bem como tempo e temperatura de e
Publicado em: 2009
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11. Avaliação da resistência ao rasgamento do silicone submetido à ação de suor artificial / Evaluation of silicon resistance to tearing submitted to the action of human sweat
O Silicone é um material semi-orgânico, obtido a partir de processos industriais e classificado como polimérico. Ele tem basicamente em sua composição átomos de silício ligados a oxigênio e radicais contendo carbono o que confere ao material, características físico-químicas particulares como inércia química e estabilidade dimensional, mantendo-s
Publicado em: 2008
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12. Estruturas multicamadas de silício poroso para aplicação em dispositivos de cristais fotônicos. / Porous silicon multilayers structures for application in photonic crystals device.
The aim of the present work was to study and analyze the optical response of one- dimensional (1D) photonic crystal devices obtained by using the porous silicon technology. The experimental results obtained from this work showed the significant contribution to the development of a technological process for optical device fabrication in the silicon substrate.
Publicado em: 2007