Cristal Semicondutor
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1. Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes. / Physical properties of SnO2: defects, impurities, alloys and superlattices.
O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/08/2011
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2. Propriedades estruturais e optoeletrônicas dos compostos SrSnO3, SrxBa1-xSnO3 e BaSnO3
Apresentamos neste trabalho um estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas, em temperatura ambiente dos cristais de SrSnO3, SrxBa1xSnO3 (x = 0:2; 0:4; 0:6; 0:8) e BaSnO3, todos eles membros da classe das perovskitas do tipo estanatos terrosos, ASnO3. O nosso modelo teórico foi baseado na teoria do funcional da densidade (DFT) considerando a
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/07/2011
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3. Desenvolvimento do cristal semicondutor de iodeto de mercúrio para aplicação como detector de radiação / Development of the mercury iodide semiconductor crystal for application as a radiation detector
In this work, the establishment of a technique for HgI growth and preparation of crystals, for use as room temperature radiation semiconductor detectors is described. Three methods of crystal growth were studied while developing this work: (1) Physical Vapor Transport (PVT); (2) Saturated Solution of HgI2, using two different solvents; (a) dimethyl sulfoxide
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/07/2011
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4. Desenvolvimento de lasers no azul, a partir da geração de segundo harmônico de um laser de Nd:YAG operando em 946 nm / DEVELOPMENT OF BLUE LASERS, FROM SECOND HARMONIC GENERATION USING A Nd:YAG LASER EMITTING AT 946 nm
Lasers emitindo no azul vêm sendo largamente utilizado em diversas aplicações como por exemplo, blu-ray, displays, e podem representar uma excelente fonte de bombeio para o meio ativo Ti:safira. Neste trabalho utilizamos um cristal de Nd:YAG, com diffusion bonded end-caps e um bombeamento com diodo semicondutor no comprimento de onda de 803,2 nm, dessinto
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/10/2010
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5. Estudo da influência do alumínio como dopante e do ultra-som em cristais de antimonieto de galio crescidos por LEC
Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais do composto semicondutor III-V-GaSb, crescidos a partir da fase líquida pelo método Czochralski e pela técnica do Líquido Encapsulante (LEC). Na parte experimental, apresenta-se o procedimento utilizado para o crescimento de cristais de GaSb não-dopados e dopados com Alumínio. Faz-se re
Publicado em: 2009
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6. "Laser de Nd:YVO4 bombeado transversalmente em configuração com ângulo rasante interno" / LASER DE Nd:YVO4 BOMBEADO TRANSVERSALMENTE EM CONFIGURAÇÃO COM ÂNGULO RASANTE INTERNO
Lasers bombeados por diodo semicondutor emitindo em 1mm têm diversas aplicações. Para muitas destas aplicações é desejado um feixe laser com uma boa qualidade e alta potência. Um dos maiores problemas encontrado quando se utiliza altas potências de bombeamento é a forte lente térmica gerada no meio ativo. Neste trabalho estuda-se um laser de Nd:YVO
Publicado em: 2006
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7. Desenvolvimento do cristal semicondutor de Brometo de Tálio para aplicações como detector de radiação e fotodetector / Development of TIBr semiconductor crystal for applications as radiation detector and photodetector
In this work, TlBr crystals were grown by the Bridgman method from zone melted materials. The influence of the purification efficiency and the crystalline surface quality on the crystal were studied, evaluating its performance as a radiation detector. Due to significant improvement in the purification and crystals growth, good results have been obtained for
Publicado em: 2006
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8. Desenvolvimento de fontes de radiação coerente na região azul com lasers semicondutores para experimentos de resfriamento e aprisionamento de atomos de calcio / Development sources of coherent radiation in the blue region with semiconductors laser for experiments of coolong and trapping of neutral calcium atoms
Esta tese apresenta o desenvolvimento de fontes de radiação coerente na região do azul baseadas em lasers semicondutores para excitar a transição de resfriamento e aprisionamento 1 S0-1P1 do Cálcio, em 423nm. Foi construído um laser de diodo em cavidade estendida emitindo em g =846 nm que foi empregado em uma configuração de Cavidade Estendida de Li
Publicado em: 2004
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9. Montagem e caracterização de um dispositivo eletronico usando polimero condutor
Neste trabalho aperfeiçoou-se métodos para deposição de filmes finos de polímeros isolantes, como o poliestireno (PS), poli(metacrilato de metila) (PMMA), policloreto de vinila (PVC) e resina epóxi. No caso do PS, foram depositados filmes a partir de soluções feitas com o polímero virgem, purificado por coagulação e por extração líquido-líquid
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2004
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10. Lasers de semiconductor de baixo ruido para espectroscopia atomica na região azul do espectro
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de duas fontes laser na região violeta do espectro para serem usadas em espectroscopia atômica e aprisionamento de átomos de Cálcio. Ambas as fontes são baseadas em lasers de semicondutor com a frequência duplicada. Uma delas utiliza um laser com cavidade estendida e frequência duplicada por um cristal de niob
Publicado em: 2003
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11. Estudo de primeiros princípios de semicondutores III-N e adsorção de NH IND 3 e NF IND. 3 na superfície de Si.
Utilizando a Teoria do Funcional da Densidade e uma Dinâmica Molecular Quântica que envolve o formalismo de pseudopotenciais de primeiros princípios, fizemos cálculos de energia total, estrutura atômica e eletrônica, e ligação química para o cristal perfeito e a superfície do GaAs e das fases cúbicas do BN, AlN, GaN e InN para determinar o papel d
Publicado em: 1999
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12. Estudo de "Clusters" de GaAs pelo metodo de espalhamento multiplo (SCF-Sw-Xa)
No presente trabalho estudamos diversos "clusters" de GaAs com os átomos-constituintes dispostos segundo a configuração do cristal, utilizando o método de espalhamento múltiplo auto-consistente com parâmetro a para o termo de troca variável (SCF - SW - Xa). Os diversos "clusters" diferenciam-se pelo número de átmos escolhidos, pela natureza do átom
Publicado em: 1976