Densidade De Estados Eletronicos Temperatura
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1. Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta potência. Além disso, é o único semicondutor composto que, reagindo com o oxigênio, forma um óxido isolante estável, o Si
Publicado em: 2010
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2. Study of Electronic Structure of nanobelts Boron Nitride using calculations First Principles / Estudo de Estrutura Eletrônica de Nanofitas de Nitreto de Boro utilizando Cálculos de Primeiros Princípios
Recentemente, foi descoberto experimentalmente a existência de Nanofitas de Nitreto de Boro (BN) de tamanho finito, em nanoesferas porosas de BN (100-400 nm de diâmetro), sintetizada pela reação de B2O3 com esferas de carbono contendo nanoporos preenchidos por Nitrogênio a uma temperatura de 17500C. No entanto não existia uma investigação teórica da
Publicado em: 2009
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3. Estudo do calor específico de compostos Heusler paramagnéticos, da série do níquel Ni 2 Tal, onde T=Ti, Zr, Hf, V, Nb e Ta
Neste trabalho apresentamos os resultados experimentais da medida do calor específico dos compostos Heusler da série Ni2TA1, onde T =Ti, Zr,Hf,V,Nb, Ta. Estas medidas foram feitas utilizando-se um calorímetro adiabático que atua na faixa de 1,84 K a 10,3 K e visaram o estudo da estrutura elêtrônica dos compostos em termos da densidade de estados eletr�
Publicado em: 2007
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4. Junções e Anéis Tipo Y de Nanotubos de Carbonbo
Nanotubos de carbono são moléculas cilíndricas que apresentam propriedades mecânicas e eletrônicas bastante interessantes e podem ser descritos como uma folha de grafeno enrolada em forma de tubo. Dependendo apenas dos detalhes de sua geometria, estes sistemas apresentam caráter metálico ou semicondutor e são fortes candidatos a atuar como condutores
Publicado em: 2003
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5. Estudos estruturais e eletronicos do fulereno[60] e de compostos platina-fulereno[60]
O C60 policristalino foi estudado por RPE onda contínua e pulsada à temperatura ambiente. O espectro é caracterizado por duas linhas com mesmo g e larguras de linha de 1,5 e 12 G. A origem do espectro é atribuída à interação do C60 com o O2 do ar. Empregando técnicas de eco de spin eletrônico (ESE) e a seqüência de pulsos PEANUT, as contribuiçõ
Publicado em: 2001
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6. Dependência de temperatura dos parâmetros Mössbauer nos compostos de SnS e SnSe
Os compostos isomorfos SnS e SnSe foram estudados usando a técnica do efeito Mössbauer para 119Sn no intervalo de temperatura de 80 K a 400 K. Nosso resultados mostram que a constante do acoplamento quadripolar ¿ E¿ e o deslocamento isomérico ¿E são dependentes da temperatura. A variação de ¿E está associada com o deslocamento Doppler de segunda o
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 1971