Desempenhos De Circuitos Integrados
Mostrando 1-5 de 5 artigos, teses e dissertações.
-
1. Validação de protótipo e análise de falhas no teste com feixe de elétrons : um estudo visando a sua automação
O trabalho aqui apresentado descreve algumas pesquisas em teste de circuitos integrados. Estas pesquisas consistem, por um lado, na análise de falhas e por outro, na validação de protótipos, ambas fazendo uso de técnicas de teste com feixe de elétrons. A primeira parte deste trabalho apresenta uma revisão dos princípios do teste com feixe de elétron
Publicado em: 2010
-
2. Algoritmos de roteamento dirigidos a desempenho / Performance-driven routing algorithms
Este trabalho realiza uma avaliação e comparação abrangente dos algoritmos de roteamento encontrados na literatura, através do uso de várias métricas de desempenho e topológicas, com o uso de parâmetros de resistência e capacitância de tecnologias nanométricas, em cenários de interconexões comprometidos com o estado da arte. As avaliações e c
Publicado em: 2010
-
3. Design of a low noise amplifier considering noise and power. / Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência.
Esta dissertação apresenta o projeto de um amplificador de baixo ruído (LNA) para aplicação em 2,4 GHz na tecnologia CMOS 0,35 µm. A metodologia baseia-se na obtenção das dimensões dos dispositivos do circuito considerando o consumo de potência e o desempenho em relação ao ruído. Os resultados mostram que a metodologia implementada é eficaz no
Publicado em: 2008
-
4. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/SiO2/Si3N4 para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au. / Electrical characterization of ISFET devices with Si/SiO2/Si3N4 structure to measure pH using Pt, Ag, and Au pseudoelectrodes.
Neste trabalho, foi realizado um estudo da caracterização elétrica dos ISFETs com estrutura Si/SiO2/Si3N4, utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au como alternativas aos eletrodos convencionais para medições de pH. Primeiramente, foram empregados três métodos reportados na literatura (extrapolação linear para obtenção da tensão de limiar, segund
Publicado em: 2008
-
5. Interconnections influince upon nanoelectronic integrated circuits performance based on single-electron transistor / Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron
As tecnologias básicas adotadas atualmente pela indústria semicondutora para a fabricação de memórias e processadores podem alcançar certos limites que fazem com que novas tecnologias tenham que ser estudadas e desenvolvidas. Os transistores mono-elétron, como outros dispositivos em escala nanométrica, parecem ser uma opção próspera para implement
Publicado em: 2007