Detector De Silicio
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1. Modelagem de sistema de detecção para mamografia por emissão de pósitrons utilizando detectores cintiladores monolíticos / Modeling of a detection system for positron emission mammography using monolithic scintllator detectors
O objetivo deste trabalho foi propor, caracterizar e avaliar, por meio de simulações computacionais, um sistema de detecção de um tomógrafo PET (Positron Emission Tomography) dedicado para pequenas regiões. Os principais fatores considerados para a modelagem do sistema foram: resolução energética, resolução espacial, sensibilidade de detecção e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 05/10/2011
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2. Determinação das propriedades microestruturais de espumas industriais de SiC por transmissão de raios gama e microtomografia de raios-X
Espumas cerâmicas são amplamente utilizadas nas indústrias siderúrgica e aeroespacial. O conhecimento da estrutura interna desse material é extremamente importante para que seu uso seja realizado de forma adequada. Neste trabalho a estrutura interna de espumas industriais de carbeto de silício de densidades de poros de 30 ppi, 45, ppi, 60 ppi, 80 ppi e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/02/2010
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3. Substâncias ergásticas foliares de espécies amazônicas de Oenocarpus Mart. (Arecaceae): caracterização histoquímica e ultra-estrutural
O presente estudo teve por objetivo diagnosticar e caracterizar as substâncias ergásticas foliares de Oenocarpus bacaba Mart., O. distichus Mart., O. mapora H. Karst. e O. minor Mart. através de microscopias óptica e eletrônica de varredura, análises histoquímicas e microanálises físicas. Secções transversais e longitudinais, assim como maceraçã
Acta Amazonica. Publicado em: 2009
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4. Filtros interferenciais construídos com dielétricos depositados pela técnica de PECVD. / Dielectric interferential filters deposited by PECVD.
Neste trabalho é apresentada a simulação, fabricação e caracterização de filtros interferenciais empregando películas dielétricas amorfas depositadas pela técnica de deposição a vapor assistida por plasma (PECVD) sobre substratos de silício e de Corning Glass (7059). Os dispositivos ópticos foram construídos usando-se processos padrões de mic
Publicado em: 2008
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5. DETERMINATION OF URANIUM AND THORIUM ISOTOPES IN LICHENS SAMPLES Canoparmelia texana / Determinação de isótopos de urânio e tório em amostras de líquens canoparmelia texana
Os liquens desempenham um importante papel no estudo da poluição atmosférica. Podem ser usados na avaliação de vários contaminantes do ar, incluindo metais pesados e radionuclídeos. O principal objetivo deste estudo é verificar a possibilidade do uso da espécie de líquen Canoparmelia texana para a avaliação das concentrações dos isótopos de U
Publicado em: 2008
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6. Análise do potencial de calibração da força óptica através de dispositivos de microscopia de força atômica / Analysis of the calibration potential of optical force through atomic force microscopy devices
O microscópio de força atômica é uma ferramenta que possibilita a medida de forças precisamente localizadas com resoluções no tempo, espaço e força jamais vistas. No coração deste instrumento está um sensor a base de uma viga (cantilever) que é responsável pelas características fundamentais do AFM. O objetivo desta pesquisa foi usar a deflexã
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/12/2005
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7. "Factors affecting the energy resolution in alpha particle spectrometry with silicon diodes" / "Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"
Neste trabalho são apresentados os estudos das condições de resposta de um diodo de Si, com estrutura de múltiplos anéis de guarda, na detecção e espectrometria de partículas alfa. Este diodo foi fabricado por meio do processo de implantação iônica (Al/p+/n/n+/Al) em um substrato de Si do tipo n com resistividade de 3 kohmcm, 300 mícrons de esp
Publicado em: 2005
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8. Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho. / Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors.
Este trabalho visa à caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores fotovoltaicos na faixa do infravermelho médio. Para isto, uma série de junções p-n foi crescida com sucesso por epitaxia de feixe molecular sobre substratos de fluoreto de bário. Nesta série, a concentração de buracos p ficou mantida fixa em 1017
Publicado em: 2004