Diodos De Si Resistentes A Danos De Radiacao
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1. Electron dosimetry in irradiation processing with rad-hard diodes / Dosimetria de elétrons em processos de irradiação com diodos resistentes a danos de radiação
Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de sistemas dosimétricos baseados em diodos especiais de Si, resistentes a danos de radiação, para monitoração online de processos de irradiação com elétrons de 1,5 MeV de energia e para dosimetria relativa e escaneamento de feixe de elétrons clínicos dentro de uma faixa de energia de 6 a 21 MeV. O
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/09/2012
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2. Comparative study of Si diodes response for gamma radiation dosimetry / Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama
Neste trabalho é apresentado um estudo comparativo da resposta de diodos de Si para dosimetria de radiação gama. Os diodos investigados, crescidos pelas técnicas de fusão zonal (Fz) e Czchocralski magnético (MCz), foram processados no Instituto de Física da Universidade de Helsinki no âmbito das pesquisas e desenvolvimento de dispositivos de Si resis
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/04/2010
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3. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses / Development of dosimeters with rad-hard silicon diodes for high dose dosimetry
Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com diodos resistentes a danos de radiação dos tipos fusão zonal padrão (FZ), fusão zonaI com difusão de oxigênio (DOFZ) e Czochralski magnético (MCz) em dosimetria de processamento por radiação gama. Estes dispositivos de junção p+-n-n+ foram manufaturados por Okmetic Oyj. (Vantaa, Finland)
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 31/08/2009
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4. "Factors affecting the energy resolution in alpha particle spectrometry with silicon diodes" / "Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"
Neste trabalho são apresentados os estudos das condições de resposta de um diodo de Si, com estrutura de múltiplos anéis de guarda, na detecção e espectrometria de partículas alfa. Este diodo foi fabricado por meio do processo de implantação iônica (Al/p+/n/n+/Al) em um substrato de Si do tipo n com resistividade de 3 kohmcm, 300 mícrons de esp
Publicado em: 2005