Dopagem Delta
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1. Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com Mn / Spin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells Mn-doped barriers
Nesta dissertação investigamos os efeitos dos íons de Mn na dinâmica do spin de elétron em poços quânticos de InGaAs/GaAs. Os poços têm um gás de buracos gerado por dopagens em suas barreiras, sendo uma dopagem tipo delta de Mn numa das barreiras e uma dopagem tipo delta de C, na outra. A densidade de buracos foi determinada mediante medidas de tra
Publicado em: 2010
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2. Studies on the electrical and magnetic proprieties of GaMnAs nanostructure for use in spintronics / Estudos de propriedades elétricas e magnéticas em nanoestruturas de GaMnAs de uso em spintrônica
Um estudo da interação entre desordem e polarização de spin no GaMnAs ajuda a compreender a natureza dos estados, estendidos ou localizados, bem como as consequências para as transições observadas sobre as propriedades de transporte e às mudanças na ordem magnética de momentos magnéticos localizados em sítios de Mn. Este estudo pressupõe a ocorr
Publicado em: 2009
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3. STUDY OF MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURES WITH NIPI DOPING FOR ELECTRO ABSORPTION MODULATION / ESTUDO DE ESTRUTURAS DE POÇOS QUÂNTICOS MÚLTIPLOS COM DOPAGEM NIPI PARA MODULAÇÃO POR ELETRO-ABSORÇÃO
In this thesis we have studied multiple quantum well structures with Si delta doping inside the GaAs quantum wells and C delta doping in the AlGaAs barriers (nipi). This structure was proposed by W. Batty and D. W. E. Allsopp ( ¤ )as an alternativeto maximize the Stark shift and improve the performance of electroabsorption amplitude modulators.The samples w
Publicado em: 2001
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4. Espectroscopia optica em super-redes de GaAs com dopagem delta de Si
We performed the GaAs Si delta doped superlattices optical characterization, using spectroscopic techniques as photoluminescence, photoluminescence sxcitation, time resolved photoluminescence, Raman scattering and time resolved photorefletance. Their electronic structure is such that the electron gas is confined in minibands along the growth direction and pr
Publicado em: 1997
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5. Propriedades eletrônicas de um poço duplo assimétrico com dopagem delta. / Electronic properties of a double asymmetric quantum well with delta doping.
Calculamos a estrutura eletrônica do sistema formado por dois poços quânticos assimétricos (Al0.3Ga0.7As/GaAs) com dopagem delta (Si) no centro de cada poço. Resolvemos a equação de Schrödinger usando a teoria do funcional densidade na aproximação de densidade local. Obtemos o potencial efetivo, os níveis de energia, a ocupação das sub-bandas e
Publicado em: 1994
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6. Espectroscopia de tunelamento quantico
Neste trabalho implementamos experimentos para a medida da corrente de tunelamento em amostras de Dupla Barreira de GaAs/AlxGa1-xAs e de GaAs com dopagem planar de Si (d -doping). Para isto preparamos dois sistemas experimentais: a) "Circuito Ponte de Wheatstone" e b) sistema "Fonte de Corrente e Voltímetro". O primeiro sistema, "Circuito Ponte de Wheatston
Publicado em: 1994