Dopagem Planar
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1. Propriedades Óticas de Estruturas Semicondutoras com Dopagem Planar do Tipo n ou p / Optical properties of semiconductor structures with doping Flat Type n or p
Estruturas semicondutoras com dopagem planar são sistemas de considerável interesse tanto para a a pesquisa básica como para a aplicação em dispositivos. Neste trabalho caracterizamos estruturas semicondutoras com dopagem planar tipo n ou p, utilizando técnicas de espectroscopia ótica tais como fotoluminescencência (PL) e fotoluminescência-excitaç�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/1998
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2. Caracterização optica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlgaAs
Realizamos um estudo das propriedades ópticas de uma estrutura tipo HEMT de um poço quântico de GaAs/InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs com dopagem modulada. Neste estudo, utilizamos técnicas de medidas de espectroscopia de fotoluminescência, fotoluminescência de excitação, magnetoluminescência e de magnetotransporte. As amostras são altamente dopadas resultand
Publicado em: 1996
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3. Espectroscopia de tunelamento quantico
Neste trabalho implementamos experimentos para a medida da corrente de tunelamento em amostras de Dupla Barreira de GaAs/AlxGa1-xAs e de GaAs com dopagem planar de Si (d -doping). Para isto preparamos dois sistemas experimentais: a) "Circuito Ponte de Wheatstone" e b) sistema "Fonte de Corrente e Voltímetro". O primeiro sistema, "Circuito Ponte de Wheatston
Publicado em: 1994
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4. Study of incorporations of donor impurities in III-V semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy. / Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.
III-V semiconductor samples were grown using the Molecular beam epitaxy technique, the electrical properties of the GaAs structures planar doped with silicon were investigated as well as the Silicon saturation and diffusion in these samles. The optcal and electrical properties of structures planar doped with Selenium were analyzed using the Capacitance Volta
Publicado em: 1993
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5. Estudo de propriedades opticas e de transporte em estruturas semicondutoras em dopagem planar
In this work we investigated semiconductor microstructures which provide the confinement of photogenerated holes. In systems obtained by periodically doping a layer of homogeneous material (M-d), this confinement is evidenced as the spacing between the dopant plans decreases and quantum limit for holes is achieved. On the other hand, as far as electrons are
Publicado em: 1993
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6. Estudo de processos de dopagem em ZnSe por MBE
Zinc selenide, an important II-VI semiconductor compound, is of great potential interest for blue light-emitting devices due to its large band gap of 2.7 eV. However, practical application of this material in p-n junction injection devices demands effective doping techniques which can produce low-resistivity n- and p-type material, whose luminescence at room
Publicado em: 1991