Efeito De Deplecao Do Si Poli
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1. Development of silicon-germanium films for MOS / Desenvolvimento de filmes de silicio-germanio para aplicações em dispositivos MOS
Conforme os dispositivos eletrônicos atingem dimensões nanométricas, surgem limitações que não podem ser solucionadas com os materiais empregados atualmente, como efeito de canal curto, depleção de porta, corrente de fuga e variação do Vt devido à variação estatística da dopagem. Dessa forma, novos materiais devem ser introduzidos no processo d
Publicado em: 2006
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2. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica. / Electrical characterization of capacitors obtained through extreme-submicrometer technology.
In this work we present the study of polysilicon depletion and the gate tunneling current effects in thin-gate oxide devices. Characteristic curves of capacitance as a function of the gate voltage (C-V) were used to analyze the degradation caused for these effects. Regarding the poly depletion effect, a reduction of the total capacitance in the inversion reg
Publicado em: 2006