Efeito Hall No Semicondutor
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1. Filmes de óxido de índio dopado com estanho depositados por magnetron sputtering. / Indium-tin oxide thin films deposited by magnetron sputtering.
O óxido de índio dopado com estanho é um semicondutor degenerado de alta transparência no espectro visível e alta condutância elétrica. Por suas propriedades, ele é utilizado como eletrodo transparente em diversas aplicações. Algumas destas aplicações exigem que os filmes sejam depositados sobre substratos poliméricos, que degradam em temperatur
Publicado em: 2009
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2. MBE growth and characterization of films SnTe layers and SnTe/Sn1-x EuxTe heterostructures on BaF2 / Crescimento por MBE e caracterização de filmes SnTe e heteroestruturas de SnTe/Sn1-x EuxTe sobre BaF2
This work presents a systematic investigation of structural and electrical properties of SnTe epitaxial films grown on BaF2 substrates, as well as a study of structural properties of Sn1-xEuxTe (0
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/02/2005
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3. MBE growth and characterization of films SnTe layers and SnTe/Sn1-x EuxTe heterostructures on BaF2 / Crescimento por MBE e caracterização de filmes SnTe e heteroestruturas de SnTe/Sn1-x EuxTe sobre BaF2
Este trabalho tem por objetivo a investigação sistemática das propriedades estruturais e elétricas de filmes epitaxiais de SnTe crescidos sobre substratos de BaF2 (111), bem como o estudo das propriedades estruturais de filmes de Sn1-xEuxTe (0<xEu=0,12) crescidos sobre camadas intermediárias de SnTe pré-depositadas sobre substratos de BaF2 (111). As
Publicado em: 2005
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4. "Propriedades ópticas e elétricas de filmes epitaxiais de GaAs:Si crescidos na superfície (311)A"
Um estudo sistemático de caracterização de filmes de GaAs dopados com Silício e crescidos por Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados na superfície (311)A, foi desenvolvido visando compreender os mecanismos de incorporação do Si no filme. Na superfície (311)A o Si tem comportamento anfótero, ou seja, pode ocupar tanto o s�
Publicado em: 2002
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5. Phase transition in the Hall Effect in inversion layers, of materials with narrow gaps. / Transição de fase no efeito Hall, em camadas de inversão de materiais com gaps estreitos.
A Aproximação de Massa Efetiva para a função evnvelope multi-componente, na presença de uma interface, desenvolvida por Marques e Sham, será utilizada aqui, para materiais de gap estreito do grupo II-VI, da seguinte maneira: A) A forte interação entre bandas de condução e valência, nestes materiais, é justificada em um Hamiltoniano de Kane (6x6)
Publicado em: 1989