Efeito Rashba
Mostrando 1-7 de 7 artigos, teses e dissertações.
-
1. Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante tipo-p
Neste trabalho investigamos efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante p-i-p de GaAs/AlAs na presença de campo magnético paralelo à corrente túnel. Para isso, realizamos um estudo sistemático das curvas características de corrente-voltagem I(V) e da fotoluminescência (PL) resolvida em polarização das camadas do contato e do poço-quântico
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/03/2012
-
2. Efeito Hall de spin em poços quânticos com acoplamento spin-órbita inter-subbanda / Spin Hall effect in quantum wells with intersubband spin-orbit coupling
A partir da teoria de resposta linear (formalismo de Kubo) calculamos a condutividade de spin $\sigma_^$ para um gás bidimensional de elétrons formado num poço quântico com duas subbandas devido a atuação de um novo tipo de interação spin-órbita [Bernardes et al. \textit{Phys. Rev. Lett.} \textbf, 076603 (2007) \&Calsaverini \textit{et al}. \textit{
Publicado em: 2009
-
3. Propriedades fÃsicas de um gÃs de eletrons 2D na presenÃa de um campo magnÃtico inclinado.
Investigamos os efeitos da interaÃÃo spin-Ãrbita do tipo Rashba e do tipo Dresselhauss e de um potencial com modulaÃÃo periÃdica unidimensional sobre as propriedades fÃsicas de um gÃs de elÃtrons bidimensional, na presenÃa de um campo magnÃtico externo constante e inclinado com respeito a direÃÃo de confinamento. O sistema à caracterizado pelos
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/12/2008
-
4. Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores
Neste trabalho apresentamos o estudo do efeito do acoplamento spin-órbita na estrutura eletrônica de pontos e anéis quânticos semicondutores. As contribuições de Rashba, devido à assimetria da inversão estrutural e de Dresselhaus, causado pela assimetria da inversão cristalina, comum em alguns materiais semicondutores do grupo III-IV, são introduzi
Publicado em: 2007
-
5. Efeitos de interaÃÃo spin-Ãrbita em anÃis quÃnticos semicondutores
Neste trabalho apresentamos o estudo do efeito do acoplamento spin-Ãrbita na estrutura eletrÃnica de pontos e anÃis quÃnticos semicondutores. As contribuiÃÃes de Rashba, devido à assimetria da inversÃo estrutural e de Dresselhaus, causado pela assimetria da inversÃo cristalina, comum em alguns materiais semicondutores do grupo III-IV, sÃo introduzi
Publicado em: 2007
-
6. Inter-subband spin-orbit coupling in semiconductor heterostructures / Acoplamento spin-órbita inter-subbanda em heteroestruturas semicondutoras
Neste trabalho apresentamos a determinação autoconsistente da constante de interação spin-órbita em heteroestruturas com duas sub-bandas. Como recentemente proposto, ao obter o hamiltoneano de um sistema com duas sub-bandas na aproximação de massa efetiva, constata-se a presença de um acoplamento inter-subbanda que não se anula mesmo em heteroestrut
Publicado em: 2007
-
7. Efeito Rashba em nanoestruturas de materiais semicindutores do tip IV-VI.
Esta tese trata do Efeito Rashba ou interaÃÃo spin- Ãrbita em nanoestruturas semicondutoras de materiais do tipo IV-VI. Os materiais semicondutores do tipo IV-VI apresentam uma estrutura de mÃltiplos vales e uma forte interaÃÃo spin-Ãrbita, sendo bons candidatos para aplicaÃÃes em spintrÃnica. As energias dos estados quantizados para eletrons confi
Publicado em: 2002