Epitaxia
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1. Crescimento e caracterização de nanofios auto-sustentados de ligas ternárias de InGaAs
Nanofios de ligas ternárias de Arseneto de Gálio e Índio (InxGa1-xAs) são excelentes candidatos para aplicações tecnoógicas em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, mas existem uns poucos estudos experimentais sobre seu crescimento que permitam obter um controle e conhecimento significativo das suas propriedades óticas e elétricas. Este trab
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/03/2012
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2. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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3. Modelagem da formação de estruturas tridimensionais em crescimento epitaxial / Modelling of three-dimensional structures formation in epitaxial growth
Nesta tese estudamos o surgimento de estruturas tridimensionais auto-arranjadas em superfícies crescidas por epitaxia por feixe molecular (MBE). Foram utilizadas simulações de Monte Carlo cinético para a descrição de dois casos específicos dessas morfologias: formação de morros e de nucleação de ilhas 3d de escalas nanométricas conhecidas como po
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/07/2011
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4. Ca1-xSrxSnO3 (x = 0; 0,25; 0,50; 0,75 e 1): filmes obtidos por métodos físicos e químicos e pós obtidos pelo método dos precursores poliméricos / Ca1-xSrxSnO3: films obtained by PLD and CSD and powders by polymeric precursor method
SrSnO3 e CaSnO3 apresentam estrutura perovskita ortorrômbica, proveniente das distorção e inclinações de seus octaedros. Estas distorções favorecem a obtenção de materiais com propriedades dielétricas e semicondutoras, levando a inúmeras aplicações no setor tecnológico. Neste trabalho, pós de SrSnO3 foram obtidos pelo método dos precursores p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 06/05/2011
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5. Caracterização in-situ e determinação estrutural de filmes ultra-finos de FeO/Ag(111), Fe3O4/Pd(111), Grafeno/Ni(111) e Au/Pd(100)
As propriedades físicas de sistemas de baixa dimensionalidade são bastante inuenciadas pelas primeiras camadas atômicas, e uma maneira de se estudar essas poucas camadas é através da preparação de lmes ultra-nos sobre substratos monocristalinos. É de especial interesse a determinação das propriedades estruturais, eletrônicas e magnéticas de tais
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/03/2011
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6. Homogeneidade química, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V / Chemical homogeneity, interfaces and structural defects in III-V semiconductor nanowires
O desenvolvimento de novos materias tem grande interesse devido à ocorrência de novos fenômenos e propriedades, as quais podem ser usadas em futuras aplicações tecnológicas. Em particular, nas últimas décadas, esforços imensos foram realizados buscando compreender nanomateriais e os efeitos da redução de tamanho e de dimensão. Entre os diferentes
Publicado em: 2011
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7. Estruturas magneticas do EuSe por difração magnetica de raios-X / Magnetic structures of EuSe by magnetic X-ray diffraction
Esta dissertação apresenta um estudo das estruturas magnéticas em um filme de EuSe por difração magnética de raios-X. Usamos um filme de EuSe de 3200 Å , com uma alta qualidade cristalina e crescido por epitaxia de feixe molecular sobre um substrato de BaF2(111). A difração magnética de raios-X revelou um diagrama de fases exibindo uma forte hister
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/07/2010
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8. Fotorefletância em pontos quânticos auto-organizados de InAs crescidos sobre GaAs e no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs
Neste trabalho estudamos pontos quânticos QDs (quantum dots) de InAs auto-organizados crescidos sobre o GaAs, formando uma estrutura convencional de quantum dots, e crescidos no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs, formando uma estrutura denominada DWELL (dot-in-a-well). Utilizamos cinco amostras de QDs de InAs crescidas através da té
Publicado em: 2010
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9. Nanofios de óxido de zinco e nanofitas de grafeno:: fabricação, estrutura e propriedades de transporte opto-eletrônico
Nessa tese, estudamos a fabricação e propriedades de transporte elétrico em nanoestruturas como nanofios de ZnO e grafeno. Em nanofios de ZnO, elaboramos um trabalho sobre o mecanismo de crescimento em baixas temperaturas, onde a fabricação de nanofios de ZnO ocorre facilitada pela epitaxia entre as nanopartículas catalisadoras sólidas e os nanofios.
Publicado em: 2010
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10. Caracterização de filmes finos de CdTe por meio de teoria de escala anômala / Characterization of CdTe thin films using anomalous scaling theory
Filmes de telureto de cádmio crescidos sobre substratos de vidro recobertos com oxido de estanho dopado com flúor (TCO) foram estudados usando a teoria de escala dinâmica proposta por Lopez et al. [Phys. Rev. Lett. 84, 2199 (2000)]. As amostras foram crescidas por Ferreira et al. [Appl. Phys. Lett. 88, 244102 (2006)] usando a técnica de epitaxia por pare
Publicado em: 2010
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11. Análise FORC em nanofios de Ni e Co e excitação de mágnons de superfície em filmes de O-Fe/W(001) via SPEELS / FORC analysis of Ni and Co nanowires and surface magnon excitation on O-Fe/W(001) films via SPEELS
Estudamos o comportamento estático e os mecanismos de inversão da magnetização de arranjos auto-organizados de nanofios de Ni e Co com alta anisotropia de forma. Os arranjos são obtidos a partir da anodização em dois passos de lâminas de Al e subseqüente eletrodeposição do metal magnético. Sua caracterização estrutural é realizada por microsco
Publicado em: 2010
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12. Crescimento de nanofios auto-sustentados de arseneto de índio por epitaxia por feixes moleculares
This Thesis reports the experimental and theoretical works related to the growth and characterization of free-standing gallium indium arsenide nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The growth mechanisms of free-standing nanowires remain barely known and explored in its fundamental aspects. The theoretical models of the formation of free-standing n
Publicado em: 2010