Epitaxia Por Feixes Moleculares
Mostrando 1-11 de 11 artigos, teses e dissertações.
-
1. Crescimento e caracterização de nanofios auto-sustentados de ligas ternárias de InGaAs
Nanofios de ligas ternárias de Arseneto de Gálio e Índio (InxGa1-xAs) são excelentes candidatos para aplicações tecnoógicas em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, mas existem uns poucos estudos experimentais sobre seu crescimento que permitam obter um controle e conhecimento significativo das suas propriedades óticas e elétricas. Este trab
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/03/2012
-
2. Crescimento de nanofios auto-sustentados de arseneto de índio por epitaxia por feixes moleculares
This Thesis reports the experimental and theoretical works related to the growth and characterization of free-standing gallium indium arsenide nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The growth mechanisms of free-standing nanowires remain barely known and explored in its fundamental aspects. The theoretical models of the formation of free-standing n
Publicado em: 2010
-
3. Projeto e construção de um sistema de crescimento epitaxial por feixe molecular / Project and construction of a molecular beam epitaxy growth system
A técnica de crescimento epitaxial por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy – MBE) pode ser considerada como uma das mais importantes para a obtenção de filmes finos, heteroestruturas e nanoestruturas nos dias atuais, permitindo a obtenção de filmes de excelente qualidade, além de permitir o acompanhamento do crescimento in situ através de
Publicado em: 2009
-
4. Estudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes moleculares
Neste trabalho, apresenta-se o estado da arte sobre o mecanismo de formação de nanofios semicondutores autosustentados, crescidos a partir de elementos da tabela periódica dos grupos III e V pela técnica de MBE. No primeiro capítulo, apresenta-se uma breve resenha das técnicas experimentais de crescimento de nanofios utilizadas. O segundo capítulo con
Publicado em: 2008
-
5. Oxidation of EuTe - (111) epitaxial films / Oxidação de filmes epitaxiais de telureto de európio - EuTe (111)
Filmes epitaxiais de EuTe recém crescidos foram expostos ao ar ou ao fluxo O2 e analisados por medidas de Transmitância Óptica, Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Difração de Raios X de Alta Resolução (HRXRD) nas configurações de Triplo eixo e Rocking curve , Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) e Espectroscopia de Fotoel
Publicado em: 2008
-
6. Oxidação de filmes epitaxiais de telureto de európio - EuTe (111) / Oxidation of EuTe - (111) epitaxial films
Filmes epitaxiais de EuTe recém crescidos foram expostos ao ar ou ao fluxo O2 e analisados por medidas de Transmitância Óptica, Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Difração de Raios X de Alta Resolução (HRXRD) nas configurações de Triplo eixo e Rocking curve , Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) e Espectroscopia de Fotoel
Publicado em: 2008
-
7. "Propriedades elétricas e ópticas de junções PIN de materiais semicondutores III-V sobre substratos de GaAs orientados na direção [311]A e [211]A"
Neste trabalho foram processados e caracterizados dispositivos emissores de luz (LEDs) baseados em estruturas p-i-n a partir de filmes de GaAs dopados unicamente com Silício e crescidos através da técnica de Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados nas superfícies (311)A e (211)A. Nas superfícies (311)A e (211)A, o Si tem com
Publicado em: 2003
-
8. "Propriedades ópticas e elétricas de filmes epitaxiais de GaAs:Si crescidos na superfície (311)A"
Um estudo sistemático de caracterização de filmes de GaAs dopados com Silício e crescidos por Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados na superfície (311)A, foi desenvolvido visando compreender os mecanismos de incorporação do Si no filme. Na superfície (311)A o Si tem comportamento anfótero, ou seja, pode ocupar tanto o s�
Publicado em: 2002
-
9. Crescimento e caracterizaÃÃo de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0
Filmes epitaxiais de telureto de chumbo e estanho com a concentraÃÃo de estanho variando em todo o intervalo de composiÃÃo de liga foram crescidos pela primeira vez poe epitaxia de feixe molecular (MBE) sobre o plano natural de clivagem do substrato de BaF2(111), utilizando-se fontes sÃlidas distintas de PbTe e SnTe. A largura a meia altura da varredura
Publicado em: 1998
-
10. Instrumentação eletrônica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes moleculares / Electronic hardware development for molecular beam epitaxy.
Neste trabalho é apresentado o desenvolvimento de instrumentação eletrônica para controle e automação de um sistema de crescimento de semicondutores por Epitaxia por Feixes Moleculares. Envolve uma variedade de circuitos analógicos e digitais como: um módulo de aquisição de dados e controle baseado em uma UCP Z-80, contendo algumas interfaces digit
Publicado em: 1994
-
11. Study of incorporations of donor impurities in III-V semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy. / Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.
III-V semiconductor samples were grown using the Molecular beam epitaxy technique, the electrical properties of the GaAs structures planar doped with silicon were investigated as well as the Silicon saturation and diffusion in these samles. The optcal and electrical properties of structures planar doped with Selenium were analyzed using the Capacitance Volta
Publicado em: 1993