Epitaxial Growth
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1. Synthesis and characterization of water-dispersed CdSe/CdS core-shell quantum dots prepared via layer-by-layer method capped with carboxylic-functionalized poly(vinyl alcohol)
The main goal of this work was to synthesize CdSe/CdS (core-shell) nanoparticles stabilized by polymer ligand using entirely aqueous colloidal chemistry at room temperature. First, the CdSe core was prepared using precursors and acid-functionalized poly(vinyl alcohol) as the capping ligand. Next, a CdS shell was grown onto the CdSe core via the layer-by-laye
Mat. Res.. Publicado em: 09/05/2014
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2. Modelagem da formação de estruturas tridimensionais em crescimento epitaxial / Modelling of three-dimensional structures formation in epitaxial growth
Nesta tese estudamos o surgimento de estruturas tridimensionais auto-arranjadas em superfícies crescidas por epitaxia por feixe molecular (MBE). Foram utilizadas simulações de Monte Carlo cinético para a descrição de dois casos específicos dessas morfologias: formação de morros e de nucleação de ilhas 3d de escalas nanométricas conhecidas como po
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/07/2011
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3. Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado. / Influence of Selective Epitaxial Growth (SEG) in strained SOI triple gate N transistors.
Este trabalho apresenta um estudo da influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em dispositivos tensionados mecanicamente (strain) em transistores SOI MuGFET de porta tripla. Com a evolução da tecnologia de integração de transistores, alguns efeitos parasitários são eliminados ou diminuídos, porém outros novos surgem. A tecnologia SOI MuGFET
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/05/2011
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4. Estudos de dinamica molecular aplicados ao crescimento epitaxial e nanoindexação / Studie pf molecular dynamics applied to the epitaxial growth and nanoindentation
In this work we present two important and current subjects:Metalic thin .lms and nanoindentation. We studied these systems using molecular dynamics with empirical potentials. We showed that it is possible to model the epitaxial growth using a suitable potential and a specific methodology for deposition.Concerning the growth of thin films,we studied three sys
Publicado em: 2009
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5. Projeto e construção de um sistema de crescimento epitaxial por feixe molecular / Project and construction of a molecular beam epitaxy growth system
A técnica de crescimento epitaxial por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy – MBE) pode ser considerada como uma das mais importantes para a obtenção de filmes finos, heteroestruturas e nanoestruturas nos dias atuais, permitindo a obtenção de filmes de excelente qualidade, além de permitir o acompanhamento do crescimento in situ através de
Publicado em: 2009
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6. Study of the source and drain series resistance in SOI FinFETs triple gate transistors and with strained channel. / Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
This work presents the study of the source and drain series resistance behavior in standard and strained SOI FinFETs triple gate transistors. In SOI FinFETs transistors there is an increase of the source and drain series resistance due to the narrow of these regions, being this parameter a key limiting factor to the next generations. The use of strained tran
Publicado em: 2009
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7. Multicamadas magnéticas de telureto de európio e semicondutores iv-vi crescidas por epitaxia de feixe molecular / Magnetic multilayers of europium telluride and IV-VI semiconductors grown by molecular beam epitaxy
In this work, thin EuTe films and EuTe/PbTe(SnTe) superlattices were grown, and their structural and magnetic properties were characterized. The molecular beam epitaxial growth parameters of the samples were optimized, particularly those of the EuTe/SnTe SLs. To this goal, the growth modes of EuTe on SnTe and vice versa were investigated, and the influence o
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/10/2008
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8. Quantum dots: photodetectors, weak localization and counter-rotating edge states / Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos
In this work we present transport properties of heterostructures with quantum-dots. Three subjects were exploited: on the first one, we observed anomalous quantum Hall plateaus, for wich we attributed to the existence of counter-rotating edge-states; on the second subject, we determined the decoherence time of the bidimensional electron system as a function
Publicado em: 2008
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9. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/02/2007
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10. Alloying in GeSi:Si (001) epitaxial nanocrystals / Formação de ligas em nanocristais epitaxiais de GeSi:Si (001)
The structural and electronic properties of nanoscale materials strongly depend on the chemical composition, as well as their size and shape. A big variety of morphologies can be achieved by controlling the experimental conditions during the epitaxial growth of Ge on a Si(001) substrate. In particular, three-dimensional islands with well defined size and sha
Publicado em: 2007
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11. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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12. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007