Estados De Impureza
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1. Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes. / Physical properties of SnO2: defects, impurities, alloys and superlattices.
O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/08/2011
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2. AnÃis quÃnticos semicondutores ideais / Ideal semiconductor quantum rings
Nos Ãltimos anos, numerosos avanÃos alcanÃados nas tÃcnicas de crescimento de materiais deram origem à formaÃÃo de vÃrias heteroestruturas de semicondutores, onde se podem confinar elÃtrons e buracos em uma ou mais direÃÃes, atravÃs de barreiras de potencial. Muitos pesquisadores recentemente tÃm estudado estruturas de baixas dimensionalidades,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011
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3. Studies on the electrical and magnetic proprieties of GaMnAs nanostructure for use in spintronics / Estudos de propriedades elétricas e magnéticas em nanoestruturas de GaMnAs de uso em spintrônica
Um estudo da interação entre desordem e polarização de spin no GaMnAs ajuda a compreender a natureza dos estados, estendidos ou localizados, bem como as consequências para as transições observadas sobre as propriedades de transporte e às mudanças na ordem magnética de momentos magnéticos localizados em sítios de Mn. Este estudo pressupõe a ocorr
Publicado em: 2009
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4. Contrapontos da história da hanseníase no Brasil: cenários de estigma e confinamento
Ao discutir a luta contra a hanseníase no Brasil, em especial em São Paulo e no Maranhão, o trabalho focaliza as múltiplas formas da história institucional e da "cultura de reclusão" dos hansenianos. Critica-se a visão corrente de um cenário único de disciplina e vigilância para, ao contrário, sugerir a existência de cenários cambiantes, marcado
Revista Brasileira de Estudos de População. Publicado em: 2008-06
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5. Confinamento quÃntico em hetero-estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade.
Os materiais semicondutores sÃo responsÃveis pelo grande desenvolvimento na indÃstria eletrÃnica e surgimento de novas tecnologias. O conceito de hetero-estrutura deu um grande impulso à fÃsica do estado sÃlido. à impossÃvel imaginar a moderna fÃsica do estado sÃlido sem hetero-estruturas semicondutoras. A fÃsica de semicondutores està atualment
Publicado em: 2008
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6. Escadas de spin integráveis
Neste trabalho definimos três modelos de escadas de spin integráveis novos que correspondem a variações de um modelo de escada de spin baseado na simetria SU(4). Os modelos são exatamente solúveis através do método do ansatz de Bethe e as equações do ansatz de Bethe, os autovalores de energia e o gap de spin são derivados e propriedades físicas i
Publicado em: 2007
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7. Investigação em eletrônica molecular: um estudo via cálculos de primeiros princípios / Molecular electronics investigation: a first principles study
O iminente fim da "era do Silício" tem motivado a busca de novas tecnologias para utilização na indústria eletrônica. Dentre estas tecnologias, a eletrônica molecular explora o uso moléculas como elementos funcionais em dispositivos eletrônicos. Nesta Tese, realizamos cálculos de primeiros princípios baseados na teoria do funcional da densidade (DF
Publicado em: 2007
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8. Nanostructured materials of type IV and III-V doped with Mn. / Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V dopados com Mn
No presente trabalho, investigamos propriedades eletr^onicas, estruturais e de transporte de nanoestruturas do tipo IV e tipo III-V usando c´alculos de primeiros princ´?pios. (I) Como ponto de partida, verificamos sistematicamente a estabilidade do Mn substitucional nas camadas de Ge em uma heteroestrutura de Si/Ge. Estudamos a intera¸c~ao magn´etica Mn-
Publicado em: 2007
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9. Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas
Esse trabalho tem por objetivo estudar sistemas quÃnticos de baixa dimensionalidade do tipo poÃos quÃnticos GaN/HfO2 e Si/High-k. Investigamos propriedades eletrÃnicas, Ãpticas e estados de impurezas em poÃos quÃnticos GaN/HfO2, levando em consideraÃÃo efeito de cargas imagem devido à descontinuidade das constantes dielÃtricas dos materiais do po�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/07/2006
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10. Propriedades vibracionais de nitretos do grupo III e de suas ligas / Vibrational properties of group-III nitrides and their alloys
Os nitretos do grupo III (BN, AIN,Gan e InN) e suas ligas ternárias Al-GaN e InGaN proporcionam, recentemente, um extraordinário avanço na fabricação de dispositivos opto-eletrônicos operando na região do espectro correspondente ao verde-azul-UV e na produção de dispositivos eletrônicos de alta frequência, alta temperatura e alta potência. Estes
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 23/04/2004
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11. Modelo de Anderson para duas impurezas : Metodo dos campos efetivos / The two-impurity Anderson model : an effective medium approach
O Hamiltoniano do modelo de Anderson para duas impurezas é estudado via um desacoplamento das funções de Green. Neste caso resulta ser equivalente a aproximação de potencial coerente (CPA) que também, neste caso, coincide com a aproximação Hubbard-I. Consideram-se todos os termos de interação impureza-impureza, tanto os denominados termos de um cor
Publicado em: 2004
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12. Propriedades estruturais, eletrônicas e termodinâmicas dos nitretos do grupo-III e de suas ligas / Structural, electronic and thermodynamic properties of group-III nitrides and their alloys.
Neste trabalho foram efetuados estudos importantes e pioneiros sobre as propriedades estruturais, eletrônicas e termodinâmicas dos nitretos e de suas ligas, através de dois métodos de primeiros princípios distintos, o FLAPW (\"Full-potential Linear Augmented Plane Wave\") e o pseudopotencial combinado com a aproximação quasequímica generalizada. Na p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 10/05/2001