Fator G De Lande
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1. Manipulação de spin em diodos de tunelamento ressonante não-magnéticos tipo-n
Este trabalho teve como objetivo o estudo dos efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante (RTD) assimétricos do tipo n não magnéticos. Utilizamos técnicas de medidas de transporte e magneto-fotoluminescencia resolvida em polarização. O grau de polarização ótica das regiões do QW e das camadas do contato foi estudado em função da voltagem
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/04/2010
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2. Magnetotransport in double and triple quantum wells with different Landé g factor / Magnetotransporte em poços-quânticos duplos e triplos com diferentes valores do fator g de Landé
Neste trabalho, apresentamos estudos sobre o transporte eletrônico de cargas e diagramas de fase no plano ns-B em bicamadas eletrônicas ou poços quânticos duplos, formados de ligas semiconductoras de AlxGa1-xAs e GaAs, assim como também em poços quânticos triplos de GaAs. Para esta finalidade, amostras de poços duplos com diferentes concentrações d
Publicado em: 2009
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3. Decoherence and relaxation time in an ensemble of quantum dots / Tempos de relaxação e decoerencia em ensembles de pontos quanticos
Experimental measurements were carried out to determine the scales of the relaxation and decoherence time for the electronic spin as quantum bit. The structure of the exciton states was investigated with the objective to serve as intermediate states in the spin manipulation. The system studied for the implementation of the quantum computation is an ensemble
Publicado em: 2007
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4. "Spin and magnetic properties of the III-V group semiconductors" / "Propriedades magnéticas e de spin em semicondutores do grupo III-V"
We present the results of our investigations concerning MBE grown AlGaAs/GaAs parabolic quantum well (PQW) samples. We focused on the variation of the Landé g factor along the structure of the PQWs, which occur as a consquence of its dependence on the Al content on the alloy AlGaAs. The implications are studied by Hall and Shubnikov-de Haas measurements. Sh
Publicado em: 2006
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5. Influencia de uma pressão biaxial externa nas propriedades opticas de poços quanticos de GaAs/AlGaAs
Estudamos a influência de uma pressão biaxial externa sobre a estrutura de banda de poços quânticos de GaAs / AlGaAs por medidas ópticas. A aplicação de uma pressão externa é uma técnica bastante útil no estudo de efeitos da mistura das bandas em heteroestruturas, principalmente da banda de valência. A sua grande vantagem é de ter controle exter
Publicado em: 2004
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6. Magneto-optical properties of the center F2+ in KCl:SH-. / Estudos das propriedades magneto-ópticas do centro F2+ em KCl:SH-.
Utilizando cristais de KCl:SH- dopados com centros F2+ na ausência de centros F e F2, permitiu-nos estudar o Dicroísmo Circular Magnético (DCM) em absorção das transições 1s ?g(493?m) e 1s ?g - 2py?w (509 ?m) como função do campo magnético de 0
Publicado em: 1987