Fet Gaas
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1. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura. / Analog operation of multiple gate transistors as a function of the temperature.
In this work it is presented an analysis of the analog operation of multiple gate transistors, evaluating the Early Voltage, the open-loop voltage gain, the transconductance over the drain current ratio (gm/IDS), the drain conductance and, especially, the harmonic distortion exhibited by these devices. Along the work, FinFETs, Gate-All-Around (GAA) devices w
Publicado em: 2010
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2. Difusão de enxofre em arseneto de galio por processamento termico rapido
In this work we develope a. new diffusion technique of S in GaAs. The technique uses a rapid thermal processor (RTP), for a very short time diffusions (15-90s). High concentration (3x1018cm-3) and high mobility (2000cm2/Vs) layers were obtained using this technique. Gallium arsenide FET"s were fabricated and characterized. Transcondutances of 160mS/mm, for g
Publicado em: 1991
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3. OSCILADORES DE MICROONDAS À FET GAAS / GAAS FET MICROWAVE OSCILLATORS
Este trabalho apresenta sistemáticas para projetos de osciladores de microondas empregando basicamente como elemento ativo o transistor FET GaAs em várias configurações. Inicialmente o modelamento a pequenos sinais é estudado e um projeto é desenvolvido para comprovação experimental. Determinações de redes adaptadoras de saídas para o oscilador s�
Publicado em: 1980