Filmes Finos Sol Gel Dip Coating
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1. Complexation behavior in aqueous edta sol-gel systems for the synthesis of YBa2Cu3O7-x high-temperature superconductors
Duas soluções à base de água contendo precursores do óxido YBa2Cu3O7-x e utilizando edta (ácido etilenodiaminotetra-acético) como agente complexante são apresentadas. Estes precursores foram usados na deposição de camadas finas de materiais supercondutores de altas temperaturas (HTSC). A influência do comportamento da complexação na formação d
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2012-07
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2. Síntese de manganita dopada com estrôncio e cobaltita dopada com antimônio e caracterização microestrutural
The great variety of properties of oxides with the perovskite structure allows their application in several fields of technology. Specially, the electrochemical properties and the thermal stability of some of these compounds make these materials the most used in devices for energy generation such as the solid oxide fuel cells (SOFC). SOFC¿s are devices the
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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3. Obtenção e caracterização elétrica de filmes finos de SnO2:Sb / Deposition and electrical properties of sno2:sb films abstract
The growing demand for advanced electronic devices based on nanomaterials has motivated efforts to produce nanoscale building blocks with designed functions. Transparent conducting oxide nanocrystals (TCONs) are particularly promising for the development of such devices. TCONs synthesized in an organic medium play an important role as building blocks because
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 03/03/2011
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4. Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2
Incorporação de Ce3+ ou Ce4+ em filmes finos de SnO2 depositados via sol-gel-dip-coating aumenta drasticamente a resistividade elétrica. No primeiro caso, temos comportamento aceitador do dopante, levando a matriz à alta compensação de carga. Por outro lado, para Ce4+, verifica-se aumento na largura da região de depleção do contorno de grão, result
Cerâmica. Publicado em: 2011-09
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5. Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2
Incorporação de Ce3+ ou Ce4+ em filmes finos de SnO2 depositados via sol-gel-dip-coating aumenta drasticamente a resistividade elétrica. No primeiro caso, temos comportamento aceitador do dopante, levando a matriz à alta compensação de carga. Por outro lado, para Ce4+, verifica-se aumento na largura da região de depleção do contorno de grão, result
Cerâmica. Publicado em: 2011-06
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6. Estudo de filmes finos e materiais particulados de TiO2 e de Ag/TiO2 produzidos pelo processo sol-gel
Neste trabalho foi realizado um estudo das propriedades físico-químicas de filmes finos e materiais particulados de TiO2 e Ag/TiO2 obtidos pelo processo sol-gel a partir de soluções alcoólicas contendo isopropóxido de titânio (IV) como precursor do TiO2 e AgNO3 como precursor da prata metálica. Adicionalmente, luz ultravioleta (UV-C / 254 nm) foi uti
Publicado em: 2011
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7. Preparation and characterization of sol gel Nb2O5:Zr thin films / Preparação e caracterização de filmes finos sol-gel de Nb2O5:Zr
Este trabalho apresenta resultados da preparação e caracterização de filmes finos de pentóxido de nióbio (Nb2O5) dopados com isopropóxido de zircônio (IV) Zr[O(CH2)2CH3]4, obtidos via processo sol-gel. A adição do precursor dopante teve como finalidade estudar a sua influência sobre as propriedades eletroquímicas destes filmes. Os sóis destinado
Publicado em: 2009
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8. Preparation and characterizations of thin films of SnO2:Sb by sol-gel process. / Preparação e caracterização de filmes finos de SnO2:Sb pelo processo de sol-gel
No presente trabalho foram obtidos e caracterizados filmes finos de SnO2 e SnO2:Sb preparados pelo processo sol-gel. Estes filmes foram estudados através da influência do número de camadas nas suas propriedades ótico-eletroquímicas. Foi observado que a densidade de carga para um filme de SnO2:Sb de 5 camadas foi de 40 mC/cm2, tornando-se um excelente ca
Publicado em: 2008
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9. Desenvolvimento e caracterização de dispositivos para reposição de filmes finos por descarga em cátodo oco
Filmes finos de TiO2 foram depositados sobre substrato de silício usando descarga em cátodo oco. A presente técnica foi usada como alternativa a outras técnicas como solgel, PECVD, dip-coating e magnetron sputtering. O sistema desenvolvido apresenta uma configuração de cátodo oco cilíndrico polarizado com tensão DC variando entre 0 e 1200V e corrent
Publicado em: 2006
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10. Eletrocromismo em filmes finos compósitos / Electrochromism in thin film composites
Neste trabalho calculamos inicialmente as propriedades ópticas de filmes compósitos de Me-NiO e Me-CoO, sendo os metais Me = Au, Ag, Cu, Ni, Pd e Pt, a partir da teoria de meio efetivo de Maxwell Garnett. Este estudo teórico possibilitou avaliar a viabilidade de se obter experimentalmente um material colorido na região do espectro visível, com absorçã
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/02/2003
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11. "Incorporação de Er em SnO2 obtido via sol-gel: uma análise de xerogéis e filmes finos"
Foram produzidos xerogéis e filmes finos de SnO2 dopados com Er e codopados com Yb pelo processo sol-gel, sendo usada a técnica de molhamento (dip-coating) para a produção de filmes finos. Propriedades ópticas, estruturais e elétricas são analisadas neste material, destacando-se espectros de emissão e excitação em xerogéis de SnO2:Er e SnO2:Er
Publicado em: 2002
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12. Preparation and characterization of thin films of Nb2O5 doped with Li+ for possible architecture applications. / Preparação e caracterização de filmes finos sol-gel de Nb2O5 dopados com Li+ visando possível aplicação em arquitetura.
O presente trabalho consiste na preparação e caracterização de filmes finos de óxido nióbio (Nb2O5) dopados com trifluoro metano sulfonato de lítio (CF3SO3Li). A adição do sal de lítio tem como objetivo verificar a influência do mesmo nas performances opto-eletroquímicas dos filmes de óxido de nióbio. Os sóis para deposição dos filmes foram
Publicado em: 2001