Gas Do Eletron
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1. Nonperturbative treatment of the screened-Coulomb contribution of projectile-electron loss
The electron-loss cross section of He+ ions impinging upon noble-gas targets (2≤Z2≤36) is calculated by using the coupled-channel method for the active projectile electron in the static screened field of the target atom. The calculations show a saturation of the projectile-electron-loss cross section with increasing target atomic number. This saturation
Publicado em: 2011
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2. Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com Mn / Spin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells Mn-doped barriers
Nesta dissertação investigamos os efeitos dos íons de Mn na dinâmica do spin de elétron em poços quânticos de InGaAs/GaAs. Os poços têm um gás de buracos gerado por dopagens em suas barreiras, sendo uma dopagem tipo delta de Mn numa das barreiras e uma dopagem tipo delta de C, na outra. A densidade de buracos foi determinada mediante medidas de tra
Publicado em: 2010
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3. Modelo do potencial ótico complexo para estudo de espalhamento de elétrons por moléculas e radicais livres
Neste trabalho, realizamos uma pesquisa visando o melhor entendimento do papel do potencial de absorção envolvido na dinâmica de lnteração de elétrons-átomos (-moléculas), e a obtenção de um modelo de potencial que melhor representa os efeitos de absorção, nas faixas de energia intermediária e alta. Idealmente, este potencial deve ser livre de p
Publicado em: 2008
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4. Propriedades de spintrônica do gás de elétrons e dinâmica do íon Mn em nano estruturas semicondutoras magnéticas
Esta tese apresenta um estudo teórico das propriedades de spintrônica do gás de elétrons em nano estruturas semicondutoras magnéticas obtidas a partir de semicondutores magnéticos diluídos (III, Mn)V e (II, Mn)VI da dinâmica do íon Mn na presença de um background de 2DEG (Gás de elétrons bi-dimensional). Primeiramente, realizamos cálculos para a
Publicado em: 2006
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5. Fate of extended states and origin of localized states in quantum Hall regime / Destino dos estados estendidos e origem dos estados localizados no regime de efeito Hall quantico
Esse trabalho é dedicado ao estudo de dois problemas de interesse atual em sistemas quânticos de baixa dimensionalidade. Ambos são relacionados ao processo de localização eletrônica no regime Hall quântico. O primeiro problema diz respeito ao destino dos estados estendidos no limite de baixos campos magnéticos ou forte desordem, onde ocorre a transi�
Publicado em: 2005
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6. Bosonização no primeiro nivel de Landau
Neste trabalho, foi desevolvido um método de bosonização para o gás bidimensional de elétrons, sujeito a um campo magnético uniforme e perpendicular, quando o fator de preenchimento é unitário (v = 1). Mostramos que as excitações elementares neutras do sistema, conhecidas como magneto excitons, podem ser tratadas aproximadamente como bósons. Em se
Publicado em: 2004
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7. Influencia do oxigenio na fotoluminescencia do Er3+ em a-Si:H
Neste trabalho apresentamos os resultados da influência do oxigênio na intensidade da fotoluminescência do Er3+ em a-SiOx:H. Amostras foram depositadas na forma de filmes finos pela técnica de rf-sputtering. Foi usado um alvo de Silício parcialmente coberto por pequenos pedaços de Er metálico. O gás de sputtering consistiu numa mistura de Ar+H2+O2. A
Publicado em: 2000
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8. Relaxação de spin de portadores de carga em poços quanticos de GaAs/AlGaAs
Neste trabalho, fizemos o estudo sistemático sobre a dinâmica de spin em poços quânticos de GaAs/AlGaAs tipo-n com diferentes concentrações de gás de elétrons utilizando as técnicas de fotoluminescência e a fotoluminescência de excitação com luz circularmente polarizada, nos modos contínuo e resolvido no tempo. Dois pontos importantes foram est
Publicado em: 1999
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9. Estudo de Litografia por Feixe de Elétrons para a Produção de Padrões Sobre Substratos de Eletroestruturas / Study of electron beam lithografhy for patterns production on semiconductor heterostructrucres substrata.
Este trabalho trata do estudo das condições para a produção de padrões em escala nano e micrométricas, utilizando o processo de litografia eletrônica. A parte inicial refere-se ao estudo do elétron-resiste de PMMA incluindo a preparação da solução, o recobrimento do substrato e a secagem. Em seguida, são apresentados estudos sobre o funcionament
Publicado em: 1996
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10. Estudo de processos foto-induzidos/foto-estimulados em solidos submetidos a campos intensos de radiação
O estudo de efeitos de campos eletromagnéticos intensos (Iasers) sobre propriedades ópticas, térmicas e eletrônicas de materiais está hoje na ordem do dia. O contínuo desenvolvimento da técnica levou ao advento recente de pulsos lasers com altas concentrações de energia radiante e duração de alguns femtosegundos, levando a que já se fale hoje em
Publicado em: 1990
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11. Estudo experimental de oscilações em um orbitron sujeito a um campo elétrico R.F. externo
No Orbitron, elétrons de um pequeno filamento aquecido são injetados entre dois cilindros coaxiais com energia e modelo angular tal que eles orbitam ao redor do cilindro central (uma d.d.p. é aplicada entre os cilindros). Com a superposição de um potencial r.f. ao potencial logarítmico presente no Orbitron, picos de corrente negativa no catodo (cilindr
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/01/1989
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12. Liquido de eletron-buraco em GaS
Photoluminescence measurements have been performed under high excitation levels and low temperatures (<10K) condition. This work aims to explain the appearance of a broad band which dominates the spectrum, upon passing from a low into a high excitation level. Its intensity is highly dependent of the excitation. When temperature is rised from 2 K up to 10 K t
Publicado em: 1980